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J-GLOBAL ID：201202248591170928   整理番号：12A1191023

Si添加と変調ドーピングによるMnSi_1.7膜の熱電気出力係数の向上

Enhancement of thermoelectric power factor of MnSi_1.7 films by Si addition and modulation doping

著者 (4件)： HOU Q. R. (Tsinghua Univ., Beijing, CHN) ,  GU B. F. (Tsinghua Univ., Beijing, CHN) ,  CHEN Y. B. (Tsinghua Univ., Beijing, CHN) ,  HE Y. J. (Tsinghua Univ., Beijing, CHN)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 209  号： 7  ページ： 1307-1312  発行年： 2012年07月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 珪素添加によりMnSi_1.7薄膜のSeebeck係数を高め,変調ドーピングにより電気抵抗率を低下させた。薄膜のRamanスペクトルはMnSi_1.7とSiの両結晶相を示した。Si添加膜は大きなSeebeck係数と共に,高い電気抵抗率を示した。結果として,熱電気出力係数(S²/ρ)が上昇しなかった。変調ドープしたSi:Al/MnSi_1.7/ガラス構造中のSi添加MnSi_1.7は高いエネルギー障壁,大きなSeebeck係数,低い電気抵抗率を示した。その結果,733Kにおける熱電力率は0.573×10^-3/mK²に上昇した。

シソーラス用語： 変調ドーピング ,  *ケイ化物 ,  *マンガン化合物 ,  Ramanスペクトル ,  *輸送係数 ,  熱電気変換 ,  *熱起電力 ,  電気抵抗率
準シソーラス用語： *Seebeck係数 ,  *ケイ化マンガン

分類 (1件)： 熱電デバイス  (NC03090J)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  変調ドーピング ,  熱電気 ,  出力係数