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J-GLOBAL ID：201202248647421732   整理番号：12A0685511

ナノプラズモン増強による高性能GaN UV検出器の実現

Realization of a High-Performance GaN UV Detector by Nanoplasmonic Enhancement

著者 (9件)： LI Dabing (Changchun Inst. of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Acad. of Sci., Changchun, CHN) ,  SUN Xiaojuan (Changchun Inst. of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Acad. of Sci., Changchun, CHN) ,  SUN Xiaojuan (Graduate School, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  SONG Hang (Changchun Inst. of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Acad. of Sci., Changchun, CHN) ,  LI Zhiming (Changchun Inst. of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Acad. of Sci., Changchun, CHN) ,  CHEN Yiren (Changchun Inst. of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Acad. of Sci., Changchun, CHN) ,  CHEN Yiren (Graduate School, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  JIANG Hong (Changchun Inst. of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Acad. of Sci., Changchun, CHN) ,  MIAO Guoqing (Changchun Inst. of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Acad. of Sci., Changchun, CHN)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 24  号： 6  ページ： 845-849  発行年： 2012年02月07日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOCVDによってサファイア(0001)基板上にGaNをエピタキシャル成長させ,電子ビーム蒸着法によってAgを析出させ,800°CでアニールしてAgナノ粒子を形成させた。フォトリソグラフィーによってAu/Ni電極を作製し,Schottky障壁高さ測定および紫外線検出に用いた。作製したデバイスはAgナノ粒子の表面プラズモン共鳴によって約30倍の感度向上を示し,GaN系高感度紫外線および深紫外線検出器の有用性を示唆した。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *紫外検出器 ,  *ナノ粒子 ,  プラズマ共鳴 ,  Schottky障壁 ,  MSM構造 ,  エピタクシー
準シソーラス用語： *銀ナノ粒子 ,  表面プラズモン共鳴 ,  エピタキシャル成長

分類 (3件)： 固-気界面一般  (CB12041H) ,  塩  (CD01050V) ,  光電デバイス一般  (NC03081P)

タイトルに関連する用語 (4件)： プラズモン ,  増強 ,  GaN ,  UV検出