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J-GLOBAL ID:201202248647939731   整理番号:12A0955291

テラヘルツ透過分光法で調べたナノスケール銅薄膜の酸化速度論

Oxidation kinetics of nanoscale copper films studied by terahertz transmission spectroscopy
著者 (3件):
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巻: 111  号: 12  ページ: 123517-123517-6  発行年: 2012年06月15日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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テラヘルツ(THZ)透過分光法を用いて,シリコン基板上に蒸着した銅薄膜の酸化動力学を測定した。銅薄膜を通る1~7THzの広帯域THzパルスの透過を,大気中で高温での酸化の間において測定した。透過THz電場の変化を,酸化銅層の成長および銅層の厚さの減少と関連付けた。加熱温度120~150°Cに対して酸化曲線を得て,放物線的速度則に従うことを見出した。Arrhenius方程式を用いて,著者らは,拡散に対する活性化エネルギー0.55eVを計算した。多数の厚さの未酸化銅層を通るTHz透過を測定して,著者らは,パーコレーション閾値厚さ7nmの周囲での銅薄膜の光学的性質も測定した。パーコレーション転移の周囲で,新鮮な蒸着銅薄膜の光学的性質は,厚い銅薄膜の部分酸化後に残る同じ厚さの銅層のそれとは非常に異なることを記した。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
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金属薄膜  ,  反応速度論・触媒一般 

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