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J-GLOBAL ID：201202248692353489   整理番号：12A0858099

供与体-架橋-受容体ビラジカル系における電子カップリングへの架橋の寄与の分光学的研究

Spectroscopic Studies of Bridge Contributions to Electronic Coupling in a Donor-Bridge-Acceptor Biradical System

著者 (5件)： KIRK Martin L. (Univ. New Mexico, New Mexico, USA) ,  SHULTZ David A. (North Carolina State Univ., North Carolina, USA) ,  DEPPERMAN Ezra C. (Univ. New Mexico, New Mexico, USA) ,  HABEL-RODRIGUEZ Diana (Univ. New Mexico, New Mexico, USA) ,  SCHMIDT Robert D. (North Carolina State Univ., North Carolina, USA)
資料名： Journal of the American Chemical Society  (Journal of the American Chemical Society)
巻： 134  号： 18  ページ： 7812-7819  発行年： 2012年05月09日 
JST資料番号： C0254A  ISSN： 0002-7863  CODEN： JACSAT  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 温度変化電子吸収と共鳴ラマン分光法を用いて,Tp^Cum,MeZn(SQ-Ph-NN)(1)の架橋フラグメントの性質を調べた。化合物(1)は,D-B-Aアレイを構成するセミキノンラジカル(SQ)供与体,ニトロニルニトロキシドラジカル(NN)受容体とフェニレン架橋をもつ。p-フェニレン架橋が介在する強い電子カップリングが,この分子の三重項基底状態を安定化させる。SQ(π)_SOMO→NN-Ph(π^*)_LUMOD→A電荷移動(CT)遷移に含まれる鍵となる架橋ゆがみを明らかにした。このCTを伴う主な励起状態のゆがみが振動座標に沿って対称的なPh(8a)+SQ(面内)線形結合として最もよく記述され,D-B-A電荷移動状態における電子受容体として働くフェニレン架橋フラグメントの主要な役割を強調した。本結果は,(1)D-Ph-A系の電子移動と(2)1,4-フェニレン結合を採用するバイアス電極デバイスの電子輸送を促進することにおけるフェニレン架橋の重要性を示している。等方的なNN窒素超微細相互作用により測定した受容体上のスピン密度と電子カップリング行列要素H_abの大きさにより与えられるD→A相互作用の強さの間の関係を調べた。

シソーラス用語： *反応機構 ,  *ビラジカル ,  ニトロキシド ,  窒素複素環化合物 ,  三重項 ,  電荷移動 ,  電子移動 ,  スピン密度 ,  亜鉛錯体 ,  銅錯体 ,  超微細相互作用 ,  原子価結合法 ,  配置間相互作用 ,  スペクトロスコピー ,  フロンティア軌道
準シソーラス用語： *ドナー・アクセプター系 ,  ニトロニルニトロキシド ,  共鳴ラマン分光法

分類 (1件)： 分子化合物  (CE02000C)

物質索引 (4件)： セミキノンラジカル ,  [オキシ[(4,4,5,5-テトラメチル-2-イミダゾリン3-オキシド)-1,2-ジイル](3-tert-ブチル-5-ヒドロキシ-4-オキソ-2,5-シクロヘキサジエン-1,1-ジイル)]ラジカル ,  [オキシ[(4,4,5,5-テトラメチル-2-イミダゾリン3-オキシド)-1,2-ジイル](1,4-フェニレン)(3-tert-ブチル-5-ヒドロキシ-4-オキソ-2,5-シクロヘキサジエン-1,1-ジイル)]ラジカル ,  トリス[3-(4-イソプロピルフェニル)-5-メチル-1H-ピラゾール-1-イル]ほう素アニオン

タイトルに関連する用語 (7件)： 供与体 ,  架橋 ,  受容体 ,  ビラジカル ,  電子 ,  カップリング ,  分光学的研究