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J-GLOBAL ID：201202248705519179   整理番号：12A1767988

還元グラフェン酸化物ベースの柔軟な有機電荷トラツプメモリ素子

Reduced graphene oxide based flexible organic charge trap memory devices

著者 (4件)： RANI Adila (School of Advanced Materials Engineering, Kookmin Univ., Seoul 136-702, KOR) ,  SONG Ji-min (School of Advanced Materials Engineering, Kookmin Univ., Seoul 136-702, KOR) ,  JUNG LEE Mi (School of Advanced Materials Engineering, Kookmin Univ., Seoul 136-702, KOR) ,  LEE Jang-sik (School of Advanced Materials Engineering, Kookmin Univ., Seoul 136-702, KOR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 23  ページ： 233308-233308-5  発行年： 2012年12月03日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3-アミノプロピルトリエトキシシラン(APTES)の層毎組織化と電荷トラップ層として溶液処理の還元グラフェン酸化物(rGO)を用いて,不揮発性有機トランジスタメモリ素子を柔軟性基板上に開発した。グラフェン酸化物の還元と引き続くAPTES被覆基板上のrGO吸着を確認した。rGOベースの有機メモリ素子は,プログラム/消去動作,データ保持と耐久性により確認した,信頼できるプログラム可能なメモリ動作を示した。これらの方法は,グラフェン物質ベースの次世代柔軟性の不揮発性メモリの作製において重要な役割を果たす可能性がある。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化物 ,  *還元 ,  記憶素子 ,  *キャリア捕獲 ,  *柔軟性 ,  *不揮発性メモリ ,  無機酸エステル ,  保持 ,  耐久性 ,  吸着
準シソーラス用語： *グラフェン酸化物 ,  有機電荷トラツプメモリ素子 ,  電荷捕獲 ,  アルコキシシラン ,  データ保持 ,  有機メモリ素子

分類 (1件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

タイトルに関連する用語 (2件)： 還元グラフェン酸化物 ,  電荷