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J-GLOBAL ID：201202248752290660   整理番号：12A0876430

PbSナノ結晶量子ドットをベースとした高感度p-n接合フォトダイオード

High-Sensitivity p-n Junction Photodiodes Based on PbS Nanocrystal Quantum Dots

著者 (6件)： PAL Bhola N. (Los Alamos National Lab., NM, USA) ,  ROBEL Istvan (Los Alamos National Lab., NM, USA) ,  MOHITE Aditya (Los Alamos National Lab., NM, USA) ,  LAOCHAROENSUK Rawiwan (Los Alamos National Lab., NM, USA) ,  WERDER Donald J. (Los Alamos National Lab., NM, USA) ,  KLIMOV Victor I. (Los Alamos National Lab., NM, USA)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 22  号： 8  ページ： 1741-1748  発行年： 2012年04月24日 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 溶液法で作製可能で,粒子サイズの変化で吸収波長が制御可能なナノ結晶量子ドットは発光ダイオード,光検出器および太陽電池材料として期待されている。本研究では,p型PbSナノ結晶を用いた2つのタイプの光検出器を作製し,検出特性を評価した。直径4nmのp-PbSナノ粒子で作製したp型層と,ZnOあるいはTiO₂のワイドギャップ透明n型層から成るp-n接合を用いたデバイスを作製した。ショットキー型デバイスに比較して量子効率の低下なしで,暗電流の著しい低下が認められた。波長約1μmまで吸収波長範囲が広がり,10¹²cmHz^1/2W^-1以上の高い感度が得られた。さらに,500~600nm域の外部量子効率は,1V以上の逆バイアスに対して鋭い増大を示した。

シソーラス用語： エレクトロセラミック ,  *硫化鉛 ,  *量子ドット ,  ナノ結晶 ,  光検出器 ,  PN接合 ,  ヘテロ接合 ,  半導体金属接合 ,  量子収量 ,  光電流

分類 (3件)： 発光素子  (NC03082G) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： PbS ,  ナノ結晶 ,  量子ドット ,  高感度 ,  p-n接合 ,  フォトダイオード