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J-GLOBAL ID：201202248772476247   整理番号：12A1102845

Ag(111)上のケイ素のハネカム構造におけるシリセンの証明

Evidence of Silicene in Honeycomb Structures of Silicon on Ag(111)

著者 (9件)： FENG Baojie (Inst. Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  DING Zijing (Inst. Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  MENG Sheng (Inst. Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  YAO Yugui (Inst. Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  YAO Yugui (Beijing Inst. Technol., Beijing, CHN) ,  HE Xiaoyue (Inst. Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  CHENG Peng (Inst. Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  CHEN Lan (Inst. Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  WU Kehui (Inst. Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 12  号： 7  ページ： 3507-3511  発行年： 2012年07月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 銀(111)基板上のケイ素の蒸着における表面構造を走査型トンネル顕微鏡により観察した。基板温度および被覆率の影響を調べた。密度汎関数法計算とあわせて,基板温度を高めると原子吸着ケイ素がポテンシャル障壁を越えて結合を生成し,ケイ素環からなるハネカム構造を経由してグラフェンと類似の二次元構造(シリセン)単分子層から二分子層へと成長すると考えた。

シソーラス用語： *銀 ,  結晶面 ,  *ケイ素 ,  *蒸着 ,  *表面構造 ,  *気固界面 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  温度依存性 ,  被覆率 ,  密度汎関数法 ,  吸着 ,  ポテンシャル障壁 ,  環状構造 ,  ハニカム構造 ,  単分子層 ,  二分子層 ,  結晶成長 ,  単原子層
準シソーラス用語： *シリセン ,  原子吸着 ,  二次元成長

分類 (3件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  固-気界面一般  (CB12041H) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： Ag ,  ケイ素 ,  ハネカム ,  シリセン ,  証明