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J-GLOBAL ID：201202248843561623   整理番号：12A1635062

電子デバイスの最近の進歩のレビュー

A review of recent advances in electronic devices

著者 (1件)： SINGER Pete
資料名： Solid State Technology  (Solid State Technology)
巻： 55  号： 8  ページ： 12-15  発行年： 2012年10月 
JST資料番号： E0226A  ISSN： 0038-111X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： International Electron Device Meeting(IEDM)やVLSIシンポジウム等で発表された電子デバイス技術から,最新の開発状況を解説した。次の技術を取り上げ,それらの材料,デバイス構造,特長などを紹介した。(1)厚さ60オングストロームの極薄SOIデバイスを柔軟なプラスチックテープ上に移す方法で作製したCMOS,(2)曲げたり広げたりすることのできる極薄チップによるデバイスを曲面のあるパッケージに実装する技術,(3)各種用途向け(高速用,低待機電力用,高電圧用など)に特化したFinFET,(4)磁気抵抗メモリ(MRAM)のサイズをさらに小さくできるスピン-トルクMRAM,(5)不揮発性の抵抗RAM。これは絶縁体中に導電性フィラメントを分散させたMIM構造のデバイスで,HfO₂上に形成されている,(6)3次元メモリ,(7)グラフェン,硫化モリブデン(MoS),およびナノワイヤを用いたナノスケールトランジスタ。

シソーラス用語： *半導体プロセス ,  CMOS構造 ,  SOI構造 ,  *ICパッケージ ,  実装 ,  FET【トランジスタ】 ,  *MRAM ,  RAM【メモリ】 ,  トランジスタ
準シソーラス用語： *CMOSプロセス ,  *FinFET ,  *RRAM ,  *ナノトランジスタ

分類 (1件)： 固体デバイス一般  (NC03010Z)

タイトルに関連する用語 (2件)： 電子デバイス ,  レビュー