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J-GLOBAL ID：201202249338549186   整理番号：12A0256718

SiC(0001)上に成長したトップゲートエピタキシャルグラフェン中の量子Hallプラトー間遷移

Quantum-Hall plateau-plateau transition in top-gated epitaxial graphene grown on SiC (0001)

著者 (7件)： SHEN T. (School of Electrical and Computer Engineering, Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana ...) ,  NEAL A. T. (School of Electrical and Computer Engineering, Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana ...) ,  BOLEN M. L. (School of Electrical and Computer Engineering, Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana ...) ,  GU J. J. (School of Electrical and Computer Engineering, Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana ...) ,  ENGEL L. W. (National High Magnetic Field Lab., Tallahassee, Florida 32310, USA) ,  CAPANO M. A. (School of Electrical and Computer Engineering, Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana ...) ,  YE P. D. (School of Electrical and Computer Engineering, Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 1  ページ： 013716  発行年： 2012年01月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4H-SiC基板上のシリコン面上に高温昇華工程で形成した単層エピタキシャルグラフェン膜の低温磁気輸送特性を調べた。エピタキシャルグラフェン上の高kトップゲートはシード層として酸化した厚みナノメートルのアルミニウム膜を挿入し,次いで原子層堆積により実現した。低温では素子はトップゲートによる強い電場効果を示し,オンオフ比は約7で電子移動度は約3250cm²/V_sであった。単層エピタキシャルグラフェン膜について半整数量子Hall効果を観測した後に磁気輸送測定を行ったが,その際,密度,温度,磁場及び電流を変えた。分別可能量子Hallプラトー間遷移(Landau準位指標n=0からn=1)の幅を温度(T)と電流を変えながら調べた。ゲート電圧と磁場を掃引し,T>10Kで,遷移の幅はT^-kの形で指数kは約0.42であった。このスケーリング指標は,不規則短範囲合金を持つIII-V族ヘテロ接合および剥がしたグラフェンのそれと一致した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 昇華 ,  *量子Hall効果 ,  *エピタクシー ,  移動度 ,  *Landau準位 ,  磁場 ,  スケーリング【計数】 ,  短範囲規則度 ,  化合物半導体 ,  ヘテロ接合 ,  剥離 ,  *炭化ケイ素 ,  炭素材 ,  ケイ素 ,  素子構造 ,  輸送現象 ,  化学蒸着 ,  電場効果 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： III-V族半導体 ,  オンオフ比 ,  トップゲート ,  原子層堆積 ,  *磁気輸送

分類 (1件)： 電子輸送の一般理論  (BM03020C)

タイトルに関連する用語 (4件)： SiC ,  成長 ,  量子 ,  遷移