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J-GLOBAL ID：201202249652727609   整理番号：12A1507034

Hg_1-xCd_xTeのHg空格子点の第三準位(A⁺)の実験的証拠

Experimental evidence for the third level (A⁺) of Hg vacancy in Hg_{1- x} Cd _x Te

著者 (3件)： SHEPELSKII G.a. (V.Lashkariov Inst. of Semiconductor Physics of the National Acad. of Sciences, Nauky Avenue 45, 03650 Kyiv-28, UKR) ,  STRIKHA M.v. (V.Lashkariov Inst. of Semiconductor Physics of the National Acad. of Sciences, Nauky Avenue 45, 03650 Kyiv-28, UKR) ,  GASSAN-ZADE S.g. (V.Lashkariov Inst. of Semiconductor Physics of the National Acad. of Sciences, Nauky Avenue 45, 03650 Kyiv-28, UKR)
資料名： Infrared Physics & Technology  (Infrared Physics & Technology)
巻： 55  号： 6  ページ： 481-484  発行年： 2012年11月 
JST資料番号： H0184A  ISSN： 1350-4495  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Hg_1-xCd_xTe中の水銀の空格子点は(今まで想定されていた)二準位ではなく,三準位アクセプタである。第三の,最も浅い(1~1.5meV)準位(A⁺状態)が,二つの深い空格子点準位(A^-およびA⁰状態)が正孔によってすでに占められた後に,中性アクセプタによる正孔の捕獲によって現れる。(照射下での)中性水銀の空格子点による非平衡の正孔の捕獲により,正の空間電荷が照射領域近くに現れる。これがT<10~12Kのp-Hg_1-xCd_xTeで観測される光電磁効果の異常を生じる。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *テルル化カドミウム水銀 ,  化合物半導体 ,  *二準位系 ,  三準位系 ,  アクセプタ ,  浅い準位 ,  *空格子点 ,  P型半導体 ,  *不純物準位 ,  正孔 ,  キャリア捕獲 ,  照射損傷 ,  *光起電力効果 ,  *磁場効果
準シソーラス用語： *光電磁効果

分類 (3件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (4件)： Hg ,  空格子点 ,  実験 ,  証拠