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J-GLOBAL ID：201202249774351014   整理番号：12A0495532

長い励起波長でのGaAsBi光伝導のテラヘルツ検出器感度

GaAsBi Photoconductive Terahertz Detector Sensitivity at Long Excitation Wavelengths

著者 (5件)： ARLAUSKAS Andrius (Center for Physical Sci. and Technol., Vilnius, LTU) ,  SVIDOVSKY Polina (Center for Physical Sci. and Technol., Vilnius, LTU) ,  BERTULIS Klemensas (Center for Physical Sci. and Technol., Vilnius, LTU) ,  ADOMAVICIUS Ramunas (Center for Physical Sci. and Technol., Vilnius, LTU) ,  KROTKUS Arunas (Center for Physical Sci. and Technol., Vilnius, LTU)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 5  号： 2  ページ： 022601.1-022601.3  発行年： 2012年02月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子-ビーム-エピタクシー-成長させた GaAsBiから製作した光伝導性アンテナを使ったテラヘルツ周波数照射検出を報告した。1.1~1.3μm波長フェムト秒パルスにで照らしたとき検出器が最も高い感度を持つと見積もった。より短い波長でより高い伝導谷への電子散乱が,起こる。このため,伝導帯(0.26~0.29eV)の谷間分離を決定した。1.55μmでのGaAsBi検出器の感度がおよそ40%その最大値と比較して減少するけれども,この検出器を使ったフェムト秒Er-ドープ繊維レーザに基づくテラヘルツ時間領域スペクトロスコピー・システムを実証した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 励起 ,  波長 ,  ヒ化ガリウム ,  ビスマス化合物 ,  *光伝導 ,  *検出器 ,  感度 ,  アンテナ ,  エルビウム ,  ドーピング

分類 (1件)： 光デバイス一般  (BD06010L)

引用文献 (13件)：

• VAN EXTER, M. Appl. Phys. Lett. 1990, 56, 1694
• FERGUSON, B. Nat. Mater. 2002, 1, 26
• TAKAZATO, A. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 101119
• SUZUKI, M. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 163504
• HATEM, O. Appl. Phys. Lett. 2011, 98, 121107

タイトルに関連する用語 (6件)： 励起波長 ,  GaAsBi ,  光伝導 ,  テラヘルツ ,  検出器 ,  感度