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J-GLOBAL ID:201202249843957418   整理番号:12A1447078

無極性GaN系の垂直なキャビティを有する表面放出レーザの実証

Demonstration of Nonpolar GaN-Based Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers
著者 (5件):
資料名:
巻:号:ページ: 092104.1-092104.3  発行年: 2012年09月25日 
JST資料番号: F0599C  ISSN: 1882-0778  CODEN: APEPC4  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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電気的に注入される,単一縦モード無極性のm表面垂直キャビティーを有する表面放出レーザ(VCSELs)について報告する。室温で波長411.9nmのレーザー発振をし,半値幅(FWHM)は0.25nm,およびパルス発振の最大出力パワーは19.5Wのである。VCSELsの偏光方向は一貫して[1<span style=text-decoration:overline>2</span>10]a方向である。偏光の度合いはしきい値以下の0.13のからしきい値以上の0.72に増加する。バンドギャップを選択する空胴内に埋め込まれたIn<sub>0.12</sub>Ga<sub>0.88</sub>N犠牲層の光電気化学的(PEC)アンダーカットエッチングを利用して,正確に空洞長を制御し,上下の誘電体分布Bragg反射鏡(DBR)を得るプロセスを示した。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
発光素子  ,  半導体レーザ 

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