文献

J-GLOBAL ID：201202250047049532   整理番号：12A1321439

NiNによるReRAMセルで観測される超高速抵抗スイッチング現象

Ultrafast Resistive-Switching Phenomena Observed in NiN-Based ReRAM Cells

著者 (3件)： KIM Hee-Dong (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  AN Ho-Myoung (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Tae Geun (Korea Univ., Seoul, KOR)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59  号： 9  ページ： 2302-2307  発行年： 2012年09月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 抵抗ランダムアクセスメモリ(ReRAM)は次世代不揮発性メモリとして注目されているが,抵抗スイッチング材料の最適化,動作電流の低減と信頼性の改善などの課題がある。本稿は,Ti/NiN/Pt構造セルを使ったReRAMデバイスの製造とパルスモードにおける双極性スイッチング特性を報告する。実験でのNiN ReRAMは+2.4V/3.3nsと-2V/3.3nsで素晴らしいスイッチング挙動を示し,高/低抵抗比は>10²であった。抵抗スイッチング過程を,酸化還元を介在したNiN膜内の伝導フィラメントの形成と破壊を考慮したモデルで説明した。信頼性試験でデバイスは>10⁷サイクルの耐久性と85°Cにおいて>10⁵秒の保持時間を示した。この結果から,NiN ReRAMは高速メモリデバイスとして有望である。

シソーラス用語： スイッチング ,  *RAM【メモリ】 ,  不揮発性メモリ ,  ホッピング伝導 ,  電荷移動 ,  酸化還元反応 ,  *フィラメント ,  信頼性試験 ,  保持時間 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： ReRAM ,  空間電荷制限伝導 ,  酸化還元 ,  *抵抗スイッチング ,  導電性フィラメント

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： ReRAM ,  セル ,  観測 ,  抵抗スイッチング ,  現象