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J-GLOBAL ID：201202250129141569   整理番号：12A1703782

グラフェンの窒素ドーピングと量子静電容量対する効果及びNをドープしたカーボンの静電容量増強に関する新しい洞察

Nitrogen doping of graphene and its effect on quantum capacitance, and a new insight on the enhanced capacitance of N-doped carbon

著者 (11件)： ZHANG Li Li (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  ZHAO Xin (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  ZHAO Xin (Donghua Univ., Shanghai, CHN) ,  JI Hengxing (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  STOLLER Meryl D. (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  LAI Linfei (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  MURALI Shanthi (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  MCDONNELL Stephen (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  CLEVEGER Brandon (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  WALLACE Robert M. (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  RUOFF Rodney S. (Univ. Texas at Austin, TX, USA)
資料名： Energy & Environmental Science  (Energy & Environmental Science)
巻： 5  号： 11  ページ： 9618-9625  発行年： 2012年11月 
JST資料番号： W2306A  ISSN： 1754-5692  CODEN： EESNBY  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Nをドープし,マイクロ波で活性化し,膨張させた酸化黒鉛(aMEGO)及び単層グラフェンの両方の特定の静電容量に及ぼす窒素ドーピングの影響について調査した。NをドープしたaMEGO電極の静電容量の増加及びNをドープした単層グラフェンの量子静電容量情報へのシフトの強い相互関係は,NをドープしたaMEGO電極の界面の静電容量が量子成分を含むことを示した。

シソーラス用語： *コンデンサ ,  炭素電極 ,  炭素材 ,  *ドーピング ,  *静電容量 ,  グラフェン
準シソーラス用語： *窒素ドーピング

分類 (2件)： 静電機器  (NB10020R) ,  エネルギー貯蔵  (LC02000F)

タイトルに関連する用語 (8件)： グラフェン ,  窒素ドーピング ,  量子 ,  静電容量 ,  ドープ ,  カーボン ,  増強 ,  洞察