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J-GLOBAL ID：201202250144882877   整理番号：12A1515849

分子線エピタキシーによって成長したInN膜の窒素流量依存キャリア濃度の自然欠陥の役割

Role of native defects in nitrogen flux dependent carrier concentration of InN films grown by molecular beam epitaxy

著者 (3件)： TANGI Malleswararao (Jawaharlal Nehru Centre for Advanced Scientific Res., Jakkur, Bangalore 560064, IND) ,  KUYYALIL Jithesh (Jawaharlal Nehru Centre for Advanced Scientific Res., Jakkur, Bangalore 560064, IND) ,  SHIVAPRASAD S. M. (Jawaharlal Nehru Centre for Advanced Scientific Res., Jakkur, Bangalore 560064, IND)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 7  ページ： 073510-073510-6  発行年： 2012年10月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： X線回折およびX線光電子分光法を使用して,分子線エピタキシーによってc面サファイヤ上に成長したInN膜のキャリア濃度,歪,およびバンドギャップの課題に取り組む。InN膜中の歪は窒素格子間原子およびアンチサイトのような点欠陥によって発生することを実証する。緩和成長形態に起因した最小二軸歪および窒素アンチサイトによって部分的に補償されている窒素格子間原子による最小静水圧歪発生について報告する。吸着端の変動は欠陥起因のキャリア濃度によるものであり,窒素格子間原子と窒素アンチサイトは各吸収端とMoss-Bursteinシフトを生み出すドナーとして働くことを発見する。本研究はこの技術的に重要な膜のために,低キャリア濃度歪緩和膜を形成し,真性バンドギャップ値を決定するための能力を得るための第一歩である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化インジウム ,  *窒素 ,  *流量 ,  *キャリア密度 ,  *格子欠陥 ,  構造 ,  MBE成長 ,  X線回折 ,  X線光電子分光法 ,  サファイア ,  歪 ,  バンドギャップ ,  格子間原子 ,  静水圧 ,  ドナー ,  半導体薄膜 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： Moss-Bursteinシフト ,  アンチサイト欠陥 ,  気体流量 ,  吸着端

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 分子線エピタキシー ,  成長 ,  InN ,  窒素 ,  流量 ,  キャリア濃度 ,  欠陥 ,  役割