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J-GLOBAL ID：201202250245320934   整理番号：12A0858283

陽極界面層として溶液処理が可能なグラフェン酸化物を用いた量子ドット発光ダイオード

Quantum Dot Light-Emitting Diode Using Solution-Processable Graphene Oxide as the Anode Interfacial Layer

著者 (9件)： WANG Di-Yan (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  WANG I-Sheng (National Taiwan Normal Univ., Taipei, TWN) ,  HUANG I-Sheng (National Taiwan Normal Univ., Taipei, TWN) ,  YEH Yun-Chieh (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  LI Shao-Sian (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  TU Kun-Hua (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  CHEN Chia-Chun (National Taiwan Normal Univ., Taipei, TWN) ,  CHEN Chia-Chun (Academia Sinica, Taipei, TWN) ,  CHEN Chun-Wei (National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 116  号： 18  ページ： 10181-10185  発行年： 2012年05月10日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 正孔輸送のための陽極界面層としての量子ドット発光ダイオード(QD-LED)への,溶液処理が可能なグラフェン酸化物(GO)の組み込みについて報告する。QD-LEDデバイスを,GOとQDの間の静電相互作用での多層集合蒸着法を用いて作製した。デバイスの輝度の最適化のために,種々の数の単分子層(ML)をITO/GO陽極上に蒸着して比較し,2nmの二分子層(ML)QD活性層からなるQD-LEDが,最良の発光性能を示すことを確認した。本研究の結果は,QD-LEDデバイスにおける陽極界面層として溶液処理が可能なGO薄膜の利用が,溶液プロセス印刷可能オプトエレクトロニクスの製作に適合するという可能性を提供する。

シソーラス用語： *酸化物 ,  *量子ドット ,  *発光ダイオード ,  輸送現象 ,  静電相互作用 ,  オプトエレクトロニクス ,  自己組織化 ,  薄膜成長 ,  セレン化カドミウム ,  硫化亜鉛
準シソーラス用語： *グラフェン酸化物 ,  正孔輸送 ,  LBL集合

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 陽極 ,  界面層 ,  溶液処理 ,  グラフェン酸化物 ,  量子ドット ,  発光ダイオード