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J-GLOBAL ID：201202250300412991   整理番号：12A0955264

ゲルマニウム-錫合金におけるFranz-Keldysh電気吸収変調

Franz-Keldysh electro-absorption modulation in germanium-tin alloys

著者 (3件)： SOREF R. A. (Departments of Physics and Engineering Program, Univ. of Massachusetts at Boston, Boston, Massachusetts 02125, USA) ,  SUN G. (Departments of Physics and Engineering Program, Univ. of Massachusetts at Boston, Boston, Massachusetts 02125, USA) ,  CHENG H. H. (Center for Condensed Matter Sciences, National Taiwan Univ., Taipei 106, Taiwan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 12  ページ： 123113-123113-7  発行年： 2012年06月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 緩和結晶質Ge_1-xSn_x(0≦x≦0.1)合金に,軽および重正孔寄与を考慮した直接バンドギャップFranz-Keldysh理論を適用した。電気吸収変調に関して,吸収変化スペクトルをΔα(ω,ε)を33~100kV/cmの範囲の電場に対して計算した。このとき,各合金に対して,零電場吸収スペクトルの曲線フィッティングによって決めたBパラメータを用いた。ギャップ下~10meVの光子エネルギーでは,性能指数Δα(ω,ε)/α(ω,0)は,2%Snで0.4~1.0の範囲に,5%Snでは0.5~1.2に,7.5%Snでは0.6~1.4に,そして10%Snでは0.7~1.6にあることが分かった。性能指数~1に対しては,導波路共振低Q値GeSnマイクロディスクおよびバス変調器は,非共振GeSnチャネル導波路変調器より大きなオン/オフ・コントラスト比を与えると予想した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 解析 ,  データ解析 ,  計算 ,  半導体 ,  *ゲルマニウム合金 ,  スズ合金 ,  スズ ,  ドーピング ,  濃度 ,  *Franz-Keldysh効果 ,  スペクトル ,  正孔 ,  バンドギャップ ,  有効質量 ,  電場 ,  絶縁破壊 ,  *吸収スペクトル ,  波長 ,  依存性 ,  曲線あてはめ ,  光子 ,  エネルギー ,  性能指数 ,  導波路 ,  共振 ,  Q値 ,  変調器 ,  コントラスト ,  比率 ,  光学素子 ,  オプトエレクトロニクス
準シソーラス用語： 曲線フィッティング ,  変調スペクトル ,  理論解析

分類 (1件)： 半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B)

タイトルに関連する用語 (3件)： ゲルマニウム ,  錫合金 ,  変調