文献

J-GLOBAL ID：201202250407706807   整理番号：12A1765767

JAEAでの半導体素子に及ぼす放射線効果の研究

STUDIES OF RADIATION EFFECTS ON SEMICONDUCTOR DEVICES AT JAWA

著者 (1件)： OHSHIMA Takeshi (Japan Atomic Energy Agency, Gunma, JPN)
資料名： Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement  (Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement)
号： 30  ページ： 9-16  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： L0263A  ISSN： 0914-2908  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： はじき出し損傷,全イオン化線量,シングルイベント効果として知られている半導体素子に対する放射線効果を説明した。日本原子力研究開発機構(JAEA)でのはじき出し損傷効果の研究の一例として,宇宙太陽電池の放射線応答について,太陽電池の放射線抵抗の評価法の開発とともに紹介した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *放射線効果 ,  半導体素子 ,  *太陽電池 ,  放射線感受性 ,  ヒ化ガリウム ,  *はじき出し損傷 ,  耐放射線性 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  リン化物
準シソーラス用語： 放射線応答性 ,  JAEA ,  リン化ガリウムインジウム

分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (4件)： JAEA ,  半導体素子 ,  放射線効果 ,  研究