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J-GLOBAL ID：201202250507269790   整理番号：12A1690277

放電現象からみた半導体の静電破壊試験の市場相関性

著者 (1件)： 田中政樹 (ルネサスエレクトロニクス)
資料名： 静電気学会誌  (Journal of the Institute of Electrostatics Japan)
巻： 36  号： 5  ページ： 281-286  発行年： 2012年10月10日 
JST資料番号： S0175A  ISSN： 0386-2550  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： LSIなどの半導体デバイスは静電気放電(ESD)により破壊することがある。組立中のデバイスは静電気に対して無防備であり,静電破壊を抑える対策が採られる。その強度はESD試験により確認される。本稿では,実際の破壊現象に対する試験の相関性を,人体モデル,マシンモデル,デバイス帯電モデルによる試験方法を検討した。ESD試験には実際の放電現象を検討しないままに適用している方法があり,廃止や改善が必要である。その変更は容易ではなく,多くの理解者が必要である。

シソーラス用語： *放電 ,  半導体素子 ,  破壊 ,  *試験 ,  現象 ,  静電気 ,  生体モデル ,  半導体チップ ,  *信頼度
準シソーラス用語： *IC信頼度 ,  デバイス帯電モデル ,  マシンモデル ,  回路信頼度 ,  *試験方法 ,  人体モデル ,  *静電気放電 ,  静電破壊 ,  静電破壊試験 ,  放電現象

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

引用文献 (4件)：

• 田中政樹. 半導体の各静電破壊試験方法の市場相関性の検討. 第39回日科技連信頼性・保全性シンポジウム, 2009. 2009, 301
• TANAKA, M. Clarification of ultra-high-speed electrostatic discharge & unification of discharge model. EOS/ESD Symp., Proc., 1994. 1994, 171
• 田中政樹. 変位電流をともなうLSIの静電破壊現象. 第3回RCJ EOS/ESDシンポジウム, 1993. 1993, 21
• JEITA. 人体モデル静電破壊試験. ED-4701/300試験方法304

タイトルに関連する用語 (5件)： 放電現象 ,  静電破壊 ,  試験 ,  市場 ,  相関性