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J-GLOBAL ID：201202250692846439   整理番号：12A0546382

種々の化学量論の亜酸化ケイ素膜の高温焼なましの間のアモルファス及び結晶性シリコンナノクラスタの構造展開の光ルミネセンス研究

Photoluminescence study of the structural evolution of amorphous and crystalline silicon nanoclusters during the thermal annealing of silicon suboxide films with different stoichiometry

著者 (7件)： ZHIGUNOV D. M. (Lomonosov Moscow State Univ., Physics Dep., 119991, Moscow, RUS) ,  SHVYDUN N. V. (Lomonosov Moscow State Univ., Physics Dep., 119991, Moscow, RUS) ,  EMELYANOV A. V. (Lomonosov Moscow State Univ., Physics Dep., 119991, Moscow, RUS) ,  TIMOSHENKO V. Yu. (Lomonosov Moscow State Univ., Physics Dep., 119991, Moscow, RUS) ,  KASHKAROV P. K. (Lomonosov Moscow State Univ., Physics Dep., 119991, Moscow, RUS) ,  KASHKAROV P. K. (National Res. Centre “Kurchatov Institute”, 123182, Moscow, RUS) ,  SEMINOGOV V. N. (Russian Acad. of Sciences, Inst. of Laser and Information Technologies, 140700, Shatura, RUS)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 46  号： 3  ページ： 354-359  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高温焼なましの間のシリコンナノクラスタの形成と展開過程への亜酸化ケイ素薄膜の化学組成の効果を光ルミネセンスで調べた。試料は酸素雰囲気中での酸化ケイ素粉体の高温スパッタリングとそれに続くシリコン基板上への500nm厚みの亜酸化ケイ素層の堆積で作った。シリコンナノクラスタの形態的特性とサイズは光ルミネセンススペクトルと動力学の解析で探索した。組成をx=1.10,1.29,1.56および1.68と変えたSiO_x薄膜のルミネセンスの性質の比較研究を,850から1200°Cの間の種々の温度で焼なました試料について実施した。光ルミネセンス減衰時間の焼なまし温度,当初の亜酸化ケイ素薄膜の組成パラメータおよびナノクラスタサイズ依存性を調べた。Copyright 2012 Pleiades Publishing, Ltd. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *焼なまし ,  *ナノクラスタ ,  アモルファスシリコン ,  *光ルミネセンス ,  構造 ,  スパッタリング ,  減衰時間 ,  組成 ,  薄膜 ,  化学量論 ,  *酸化物 ,  *ケイ素化合物 ,  粒度依存性 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： *亜酸化ケイ素 ,  *亜酸化物

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (9件)： 化学量論 ,  酸化ケイ素膜 ,  焼なまし ,  アモルファス ,  結晶性シリコン ,  ナノクラスタ ,  構造展開 ,  光ルミネセンス ,  研究