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J-GLOBAL ID：201202250862266823   整理番号：12A0363668

イオン照射基板を用いた原子的にフラットなβ-FeSi₂/Si(100)界面の形成

Formation of atomically flat β-FeSi₂/Si(100) interface using ion irradiated substrate

著者 (3件)： SASASE M. ,  YAMAMOTO H. ,  KURATA H.
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 520  号： 9  ページ： 3490-3492  発行年： 2012年02月29日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子的にフラットな界面を達成するためにイオン照射したSi(100)上に薄い均一なβ-FeSi₂薄膜を作製した。イオン照射は化学エッチングよりも多くの欠陥を持つ表面を作製する。しかし,この欠陥の存在が相互拡散よおよび反応プロセスを必要とするβ-FeSi₂のような化合物薄膜の成長を促進する。しかしながら,過剰な欠陥はまたランダムな核生成,貧弱な結晶性および粗い表面を生じさせてしまう。断面透過電子顕微鏡を用いて,清浄ななβ-FeSi₂/Si界面を得るための基板のイオン照射の最適条件を決定した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *イオン照射 ,  *基板 ,  ケイ化物 ,  鉄化合物 ,  ケイ素 ,  透過型電子顕微鏡 ,  *薄膜 ,  *スパッタ蒸着 ,  結晶度 ,  表面粗さ ,  相互拡散
準シソーラス用語： *ケイ化鉄 ,  断面透過電子顕微鏡

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： イオン照射 ,  原子 ,  フラット ,  Si ,  界面