文献

J-GLOBAL ID：201202250881470920   整理番号：12A1337026

NiドープAlN膜の構造と磁気的性質

Structure and magnetic properties of Ni-doped AlN films

著者 (6件)： PAN D. (Dep. of Physics, Xinjiang Univ., Urumchi 830046, People’s Republic of China) ,  JIAN J. K. (Dep. of Physics, Xinjiang Univ., Urumchi 830046, People’s Republic of China) ,  ABLAT A. (Dep. of Physics, Xinjiang Univ., Urumchi 830046, People’s Republic of China) ,  LI J. (Dep. of Physics, Xinjiang Univ., Urumchi 830046, People’s Republic of China) ,  SUN Y. F. (Dep. of Physics, Xinjiang Univ., Urumchi 830046, People’s Republic of China) ,  WU R. (Dep. of Physics, Xinjiang Univ., Urumchi 830046, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 5  ページ： 053911-053911-7  発行年： 2012年09月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(100)基板上に高周波反応性スパッタリングにより堆積した0≦x≦0.032をもつAl_1-xNi_xN膜の結晶構造と磁気的性質について報告する。X線回折,X線光電子分光,およびX線吸収微細構造解析は,膜の結晶構造を維持しながらNi原子がAlNの中にうまく導入されることを明確に示した。ドープした試料は全て5Kおよび300Kの両方において強磁性を示した。飽和磁化(M_s)および保磁力(H_c)はNi濃度が0.019から0.032に増大すると低下する傾向にあり,5Kおよび300Kで得られた最大M_sはそれぞれ約0.025および60Oeで,対応するH_cは208および60Oeであった。残留磁化の温度依存性は強磁性転移温度が300Kを超えることを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ニッケル ,  *ドーピング ,  *結晶構造 ,  *磁気的性質 ,  ウエハ【IC】 ,  反応性スパッタリング ,  RFスパッタリング ,  X線回折 ,  X線光電子分光法 ,  XAFS ,  強磁性 ,  飽和磁化 ,  保磁力 ,  濃度依存性 ,  残留磁化 ,  温度依存性 ,  転移温度 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  XANES ,  原子間力顕微鏡 ,  磁気ヒステリシス ,  冷却 ,  *窒化アルミニウム
準シソーラス用語： EDS【分光分析】 ,  X線吸収微細構造 ,  シリコン基板 ,  磁気転移温度 ,  磁場冷却

分類 (2件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  金属の磁区及び磁化過程  (BM06112D)

タイトルに関連する用語 (4件)： Ni ,  ドープ ,  AlN ,  磁気的性質