文献

J-GLOBAL ID：201202251032735878   整理番号：12A0618359

DCスパッタリング法で作製されたTa₂O₅薄膜の構造的電気的特性

The structural and electrical properties of Ta₂O₅ thin films prepared by DC sputtering method

著者 (3件)： RATHEE Kanta (DCRUST, Murthal (Sonepat), IND) ,  KUMAR Mukesh (Kurukshtera Univ., Kurukshtera, IND) ,  MALIK B P (DCRUST, Murthal (Sonepat), IND)
資料名： Key Engineering Materials  (Key Engineering Materials)
巻： 500  ページ： 317-321  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0744C  ISSN： 1013-9826  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,酸化タンタル(Ta₂O₅)の電気的・材料的両特性がマイクロエレクトロニクスとオプトエレクロニクス・デバイスに有効であることが見出された。誘電体のより高い誘電率の必要性が,タンタル酸化物薄膜に対するより多くの関心を引きよせた。結果としてのデバイスの良い電気的性能を確実にするために,Ta₂O₅膜の堆積において,DCスパッタリング法を用いた。本論文では,CMOSデバイスのための高いKの誘電体としてのTa₂O₅薄膜の可能性を研究した。Ta₂O₅の誘電体の物理的な特性をX線回折(XRD)で調査した,そして,Al/Ta₂O₅/Si構造の電気特性をキャパシタンス-電圧(C-V)分析で測定した。1*10¹¹cm^-2eV^-1の界面準位密度を50nmのTa₂O₅膜で達成した。堆積直後のTa₂O₅薄膜の誘電率の計算値は29であった。金属との仕事関数の違いは-0.95eVであった。このTa₂O₅薄膜の誘電率はCMOSデバイスの次世代応用の可能性を示している。

シソーラス用語： *酸化タンタル ,  *半導体 ,  スパッタ蒸着 ,  酸化物 ,  薄膜 ,  容量電圧特性 ,  化合物半導体 ,  *MOSFET ,  *状態密度 ,  MOS構造 ,  マグネトロンスパッタリング ,  CMOS
準シソーラス用語： 酸化物薄膜 ,  界面状態密度 ,  相補性金属酸化物半導体 ,  酸化物半導体 ,  DCマグネトロンスパッタリング

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： DCスパッタリング ,  作製 ,  Ta2O5 ,  薄膜 ,  電気的特性