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J-GLOBAL ID：201202251115738224   整理番号：12A1405208

逆オフセット印刷の銀のソース/ドレイン電極を用いたトップゲート千鳥配置のポリ(3,3′′′-シアルキル-クオーターチオフェン)有機薄膜トランジスタ

Top-gate staggered poly(3,3′′′-dialkyl-quarterthiophene) organic thin-film transistors with reverse-offset-printed silver source/drain electrodes

著者 (6件)： KIM Minseok (Convergence Components & Materials Res. Lab., Electronics and Telecommunications Res. Inst., Yuseong-gu, Daejeon ...) ,  BON KOO Jae (Convergence Components & Materials Res. Lab., Electronics and Telecommunications Res. Inst., Yuseong-gu, Daejeon ...) ,  BAEG Kang-jun (Convergence Components & Materials Res. Lab., Electronics and Telecommunications Res. Inst., Yuseong-gu, Daejeon ...) ,  JUNG Soon-won (Convergence Components & Materials Res. Lab., Electronics and Telecommunications Res. Inst., Yuseong-gu, Daejeon ...) ,  JU Byeong-kwon (Display and Nanosystem Lab., Coll. of Engineering, Korea Univ., Seongbuk-gu, Seoul 136-713, KOR) ,  YOU In-kyu (Convergence Components & Materials Res. Lab., Electronics and Telecommunications Res. Inst., Yuseong-gu, Daejeon ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 13  ページ： 133306-133306-5  発行年： 2012年09月24日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,逆オフセット印刷(ROP)の銀(Ag)のソース/ドレイン(S/D)電極を用いた高性能のトップゲート型ポリ(3,3′′′-シアルキル-クアテルーチオフェン)(PQT-12)有機薄膜トランジスタ(有機薄膜トランジスタ)を報告する。銀ナノペーストを用いたROP S/D電極を有するOTFTデバイスは,従来のフォトリソグラフィーと標準リフトオフプロセスを用いる真空電子ビーム蒸着法により作製したもの(~1×10^-3cm²/Vs)より,高い性能(~0.01cm²Vs)を示す。この相違は,熱アニール中のAg表面上のAgO形成によるROP Ag電極の高い仕事関数(-4.9 eV)に起因している。これによりS/D電極とPQT-12半導体間に界面正孔注入のエネルギー障壁が低くなる結果となる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *高分子半導体 ,  素子構造 ,  硫黄複素環化合物 ,  *ポリアルキルチオフェン ,  *印刷 ,  *電極 ,  ペースト ,  仕事関数 ,  熱処理 ,  キャリア注入 ,  *キャリア移動度
準シソーラス用語： 有機薄膜トランジスタ ,  トップゲート構造 ,  チオフェン誘導体 ,  *銀電極 ,  逆オフセット印刷 ,  S/D電極 ,  ナノペースト

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： クアテルチオフェン

タイトルに関連する用語 (9件)： オフセット印刷 ,  銀 ,  ソース ,  ドレイン ,  トップ ,  ゲート ,  千鳥配置 ,  チオフェン ,  有機薄膜トランジスタ