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J-GLOBAL ID：201202251123577035   整理番号：12A0215102

非晶質酸化物半導体薄膜トランジスターデバイスの最近の発達に関する総説

Review of recent developments in amorphous oxide semiconductor thin-film transistor devices

著者 (4件)： PARK Joon Seok ,  MAENG Wan-joo ,  KIM Hyun-suk ,  PARK Jin-seong
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 520  号： 6  ページ： 1679-1693  発行年： 2012年01月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,非晶質酸化物半導体(AOS)の利用を含む薄膜トランジスター(TFT)研究分野における最近の進歩および主要な動向の総説である。まず,特定のデバイス構造および過程スキームの採用,種々の酸化物半導体材料の組合せ,そしてゲート誘電体および半導体と接触する電極材料の適切な選択により,いかに電気的性能を増強しうるかについて概説を与えた。金属酸化物TFTデバイスは次世代の能動的マトリクス液晶ディスプレイ(AMLCD),あるいは能動的マトリクス有機発光ダイオード(AMOLED)ディスプレイにおけるスイッチングあるいは駆動トランジスターの優れた候補なので,電気特性における興味ある主なパラメータには電界効果移動度(μ_FE),閾値電圧(V_th),そしてサブ閾値スイング(SS)が含まれる。次いで,非晶質TFTデバイスの安定性の研究を紹介した。AMLCDあるいはAMOLEDディスプレイにおけるスイッチングあるいは駆動トランジスターは,必然的に長期作動のときに電圧バイアスあるいは一定電流応力を伴い,そしてこの点で多くの研究グループが種々の応力条件下でのデバイス劣化機構を吟味し,提案している。最も最近の研究は,半導体を照射する可視光の存在下での応力実験を含み,光子放射に関して異なる劣化機構が提案された。本総説の最後の部分は,屈曲性ディスプレイおよび情報貯蔵を含むいくつかの潜在的応用とともに,酸化物半導体膜の形成に関する従来の真空堆積技法以外の方法の記述から構成される。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *非晶質半導体 ,  *酸化物 ,  *薄膜トランジスタ ,  半導体薄膜 ,  *電極材料 ,  *液晶ディスプレイ ,  *発光ダイオード ,  *ELディスプレイ ,  スイッチング ,  キャリア移動度 ,  閾値 ,  可視光 ,  光照射 ,  劣化
準シソーラス用語： 非晶質酸化物半導体 ,  有機発光ダイオード ,  電界効果移動度

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  表示機器  (NC06030Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： 非晶質 ,  酸化物半導体 ,  薄膜トランジスター ,  発達 ,  総説