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文献
J-GLOBAL ID:201202251290000882   整理番号:12A0183730

長方形断面Siナノワイヤの伝導帯構造の断面形状およびサイズ依存性

Shape and Size Effects on Conduction Band Structure of Si Nanowires with Rectangular Cross Section
著者 (4件):
資料名:
巻: 111  号: 357(SDM2011 132-148)  ページ: 77-82  発行年: 2011年12月09日
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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抄録/ポイント
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強束縛近似法を用いて,長方形断面を有する[001]および[110]Siナノワイヤの伝導帯構造を計算し,断面形状の違いによるバンド構造の変化を検討した。バルクSiのフルバンド分散との比較解析により,一辺が4nm以上の断面をもつナノワイヤのサブバンド構造を,バルクSi伝導帯の非放物線性に基づいて定量的に説明できた。また,両辺が3nm以下の断面を有する[110]方向のナノワイヤでは,縮退した谷の分裂によって有効質量が減少し,この効果は断面形状に大きく依存することを見出した。このようなサイズの[110]ナノワイヤをnチャネルとして用いることで,MOSFETの性能向上が期待できる。(著者抄録)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
トランジスタ  ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般 

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