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J-GLOBAL ID：201202251290000882   整理番号：12A0183730

長方形断面Siナノワイヤの伝導帯構造の断面形状およびサイズ依存性

Shape and Size Effects on Conduction Band Structure of Si Nanowires with Rectangular Cross Section

著者 (4件)： 森誠語 (京大) ,  森岡直也 (京大) ,  須田淳 (京大) ,  木本恒暢 (京大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 111  号： 357(SDM2011 132-148)  ページ： 77-82  発行年： 2011年12月09日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 強束縛近似法を用いて,長方形断面を有する[001]および[110]Siナノワイヤの伝導帯構造を計算し,断面形状の違いによるバンド構造の変化を検討した。バルクSiのフルバンド分散との比較解析により,一辺が4nm以上の断面をもつナノワイヤのサブバンド構造を,バルクSi伝導帯の非放物線性に基づいて定量的に説明できた。また,両辺が3nm以下の断面を有する[110]方向のナノワイヤでは,縮退した谷の分裂によって有効質量が減少し,この効果は断面形状に大きく依存することを見出した。このようなサイズの[110]ナノワイヤをnチャネルとして用いることで,MOSFETの性能向上が期待できる。(著者抄録)

シソーラス用語： 長方形 ,  断面 ,  *ケイ素 ,  *ナノワイヤ ,  *伝導バンド ,  *サイズ効果 ,  強束縛近似 ,  有効質量 ,  分散【dispersion】 ,  バンド構造 ,  *MOSFET ,  CMOS構造 ,  短チャネル効果 ,  漏れ電流 ,  結晶構造
準シソーラス用語： バンド分散 ,  サブバンド ,  チャネル移動度

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 長方形断面 ,  Si ,  ナノワイヤ ,  伝導帯 ,  断面形状 ,  サイズ依存性