文献

J-GLOBAL ID：201202251378949459   整理番号：12A0024309

二つの積層高分子層間に挟まれたグラフェンシートに基づく三層構造のハイブリッド双安定デバイスのメモリ効果の制御

Controlling memory effects of three-layer structured hybrid bistable devices based on graphene sheets sandwiched between two laminated polymer layers

著者 (4件)： WU Chaoxing (Inst. of Optoelectronic Display, Fuzhou Univ., Fuzhou 350002, CHN) ,  LI Fushan (Inst. of Optoelectronic Display, Fuzhou Univ., Fuzhou 350002, CHN) ,  GUO Tailiang (Inst. of Optoelectronic Display, Fuzhou Univ., Fuzhou 350002, CHN) ,  KIM Tae Whan (Dep. of Electronic Engineering, Hanyang Univ., Seoul 133-791, KOR)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 13  号： 1  ページ： 178-183  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パターン化電極とスペーサーでコートした二枚のガラス基板を積層して,高分子層の間に挟まれたグラフェンシートを利用した三層構造のハイブリッド双安定デバイス(HBD)を作製した。グラフェンシートのためのマトリックス層としてポリスチレン(PS)とポリ(ビニルカルバゾール)(PVK)を用いたハイブリッドデバイスは,それぞれ一回のみ書込み可能と揮発性メモリ効果を実証した。HBDのメモリ特性は,ポリマーマトリックスとグラフェンシートとの間に形成された電荷トラップの深さを変えることにより調整可能である。HBDの考えられる動作メカニズムを,ハイブリッドデバイスの電流-電圧特性の調査に基づき分析した。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *積層構造 ,  *炭素材 ,  *記憶効果 ,  *流体素子 ,  ポリスチレン ,  ポリビニルカルバゾール ,  電流電圧特性 ,  層 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： *グラフェンシート ,  ラミネーション ,  *双安定デバイス

分類 (1件)： 流体式制御機器  (IC02030J)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高分子層 ,  グラフェンシート ,  三層構造 ,  双安定デバイス ,  メモリ効果