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J-GLOBAL ID：201202251387570560   整理番号：12A0840583

Al³⁺および大きな直径不整合を持つAs⁵⁺を同時ドープしたp型ZnO薄膜とホモ接合の作成

Fabrication of Al³⁺ and large radii mismatch As⁵⁺ codoped p-ZnO thin film and homojunction

著者 (2件)： BALAKRISHNAN L. ,  GOPALAKRISHNAN N.
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 520  号： 17  ページ： 5702-5705  発行年： 2012年06月30日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs基板からのAsの後方拡散とAl₂O₃(1,2,4at%)混合ZnOターゲットをスパッタリングすることにより作成したAl³⁺および大きな直径不整合を持つAs⁵⁺を同時ドープしたp型ZnO薄膜をについて報告する。Hall効果測定から,単独ドーピング(As⁵⁺)膜と比較して,同時ドーピング(As⁵⁺およびAl³⁺)の方が正孔濃度が増加した。また,1at%のAlをドープしたZnO:Asは,最良の同時ドーピングのために高い正孔濃度を持ち抵抗が低くなった。X線回折によりこの膜の結晶性を調べた。X線光電子分光と低温フォトルミネセンス分析により,P型の形成機構を調べた。それは,As⁵⁺がO^2-サイトの代わりにZn²⁺に置き換わり,p型伝導性を生じる(As_Zn-2V_Zn)錯体が形成される。さらに,最良の同時ドープp型ZnO膜を用いて作成したp-nホモ接合は,典型的なダイオードの整流特性を示した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 不整合 ,  *透明導電膜 ,  *半導体接合 ,  スパッタリング ,  Hall効果 ,  ドーピング ,  キャリア密度 ,  X線回折 ,  X線光電子分光法
準シソーラス用語： *ZnO薄膜 ,  *ホモ接合 ,  同時ドーピング ,  正孔濃度

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 直径 ,  不整合 ,  ドープ ,  ZnO薄膜 ,  ホモ接合