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J-GLOBAL ID：201202251427987914   整理番号：12A0871142

選択成長ZnOナノロッドによるUV検出器の応答性に関して

On the Responsivity of UV Detectors Based on Selectively Grown ZnO Nanorods

著者 (3件)： VASUDEVAN Arun (Univ. Arkansas, AR, USA) ,  JUNG Soyoun (Samsung Mobile Display Co., Ltd, Young-in, KOR) ,  JI Taeksoo (Chonnam National Univ., Gwangju, KOR)
資料名： IEEE Sensors Journal  (IEEE Sensors Journal)
巻： 12  号： 5-6  ページ： 1317-1325  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： W1318A  ISSN： 1530-437X  CODEN： ISJEAZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnO UV検出器の応答性が電極のディメンションとナノロッドの長さを変えて改善されるかを見るために,メタル-半導体-メタル(MSM)ZnO検出器のこれ等要素に対する暗電流と応答性の依存性を調べた。MSM ZnOナノロッド検出器はWheatstoneブリッジに似せた方形の交差指電極をしている。ナノロッドは加水分解で製作し,直径は20~70μmである。UV検出のメカニズムはUV照射によるナノロッド表面からの酸素分子の吸着脱離に関連している。調査の結果,検出器の応答性はロッド長さにつれて増加し,ロッド直径につれて減少する。暗電流はロッドの密度と長さと共に増加する。電極のディメンションについて見ると,暗電流はフィンガー間隔が狭まると増加し,応答性はフィンガー間隔とフィンガー幅に依存する。このように,フィンガー間隔が狭まるかフィンガー幅が広まると応答は向上する。

シソーラス用語： MSM構造 ,  半導体金属接合 ,  *紫外検出器 ,  フォトリソグラフィー ,  *酸化亜鉛 ,  *ナノロッド ,  暗電流 ,  電気回路 ,  電極 ,  応答特性 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： Wheatstoneブリッジ ,  交差指電極 ,  光リソグラフィー

分類 (1件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (4件)： 選択成長 ,  ZnOナノロッド ,  UV検出 ,  応答性