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J-GLOBAL ID：201202251568662563   整理番号：12A0345227

AlGaInAs/InPモノリシックシック集積化DFBアレイレーザ

AlGaInAs/InP Monolithically Integrated DFB Laser Array

著者 (5件)： HOU Lianping (Univ. Glasgow, Glasgow, GBR) ,  HAJI Mohsin (Univ. Glasgow, Glasgow, GBR) ,  AKBAR Jehan (Univ. Glasgow, Glasgow, GBR) ,  MARSH John H. (Univ. Glasgow, Glasgow, GBR) ,  BRYCE Ann Catrina (Univ. Glasgow, Glasgow, GBR)
資料名： IEEE Journal of Quantum Electronics  (IEEE Journal of Quantum Electronics)
巻： 48  号： 1-2  ページ： 137-143  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： H0432A  ISSN： 0018-9197  CODEN： IEJQA7  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： モノリシックに集積した,4×1マルチモード干渉(MMI)光結合器,曲線導波路半導体光増幅器(SOA)および電界吸収変調器(EAM)を備えた,1.5μmレンジAlGaInAs/InP DFBレーザを集積化するための新規エピタキシャル構造,サイドウォールBragg格子と量子井戸混合(QWI)技術の組合せを報告した。このSOAは,MMIセクションの固有損失を補償するためと出力を制御するために使用する。SOAはまた,波長が切り換えられるに必要な,ブランキング動作のためのシャッターとして有用である。フォトダイオードとして動作するEAMにより,このデバイスは光送受信機としても使用可能である。曲線導波路は,EAM出力ファセット上へのタイトに制御された二重層反射防止コーティングのための簡単な解決策を提供する。

シソーラス用語： *AlGaAsレーザ ,  リン化インジウム ,  *分布帰還形レーザ ,  光結合器 ,  導波路 ,  *半導体光増幅器 ,  光変調素子 ,  反射防止膜
準シソーラス用語： *DFBレーザ ,  InP ,  電界吸収変調器

分類 (3件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  非線形光学  (BD05000T) ,  光デバイス一般  (BD06010L)

タイトルに関連する用語 (5件)： AlGaInAs ,  InP ,  集積化 ,  アレイ ,  レーザ