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J-GLOBAL ID：201202251579951915   整理番号：12A1306438

CdSe-InPコアシェルナノ粒子/ポリスチレンのナノ複合体に基づくフレキシブル有機双安定素子の電気的安定性とキャリア輸送機構

Electrical stabilities and carrier transport mechanisms of flexible organic bistable devices based on CdSe-InP core-shell nanoparticle/polystyrene nanocomposites

著者 (5件)： YUN Dong Yeol (Dep. of Nanoscale Semiconductor Engineering, Hanyang Univ., Seoul 133-791, KOR) ,  SONG Woo Seung (Dep. of Electronics and Computer Engineering, Hanyang Univ., Seoul 133-791, KOR) ,  KIM Tae Whan (Dep. of Nanoscale Semiconductor Engineering, Hanyang Univ., Seoul 133-791, KOR) ,  KIM Sung Woo (Dep. of Molecular Sci. & Technol., Ajou Univ., Suwon 443-749, KOR) ,  KIM Sang Wook (Dep. of Molecular Sci. & Technol., Ajou Univ., Suwon 443-749, KOR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 10  ページ： 103305-103305-4  発行年： 2012年09月03日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CdSe-InPコアシェルナノ粒子/ポリスチレンのナノ複合体を利用したメモリ特性のための柔軟な有機双安定デバイス(OBDs)を,インジウムスズ酸化物で被覆されたポリエチレンテレフタレート基板上に作製した。ポリスチレン層/インジウムスズ酸化物/ポリエチレンテレフタレート素子に埋込まれたAl/CdSe-InPナノ粒子上についての電流-電圧測定は,曲げ有無におけるオンオフ比がそれぞれ1×10⁷と1×10⁵の広範囲の電流ヒステリシス挙動を示す。曲げない場合のオンオフスイッチングの耐久数は,1×10⁵サイクルであった。曲げ加工後のOBDsのスイッチング特性は,オンとオフを区別するのに十分安定していた。OBDsのキャリア輸送機構を,電流-電圧ベース述べる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *機能素子 ,  構造 ,  *セレン化カドミウム ,  *リン化インジウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  ポリスチレン ,  ナノ複合材料 ,  *高分子有機-無機ハイブリッド ,  *曲げ ,  制御動作 ,  耐久性 ,  安定性 ,  *キャリア移動度 ,  酸化インジウムスズ ,  ポリエチレンテレフタレート ,  基板 ,  柔軟性 ,  比率 ,  電流電圧特性 ,  コアシェル構造
準シソーラス用語： *双安定素子 ,  有機双安定素子 ,  ナノ複合体 ,  オンオフ動作 ,  オンオフ比

分類 (2件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F) ,  その他の固体デバイス  (NC03150A)

タイトルに関連する用語 (9件)： CdSe ,  InP ,  コアシェル ,  ナノ粒子 ,  ポリスチレン ,  ナノ複合体 ,  双安定素子 ,  電気的安定性 ,  キャリア輸送