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J-GLOBAL ID：201202251596156746   整理番号：12A0670022

Al_xGa_1-xN/GaNから成る多重量子井戸における障壁および井戸幅の揺らぎによって支配される二次元電子ガスの移動度

Two-dimensional electron gas mobility limited by barrier and quantum well thickness fluctuations scattering in Al_xGa_1-xN/GaN multi-quantum wells

著者 (11件)： LIU Guipeng (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P. O. Box 912, Beijing ...) ,  WU Ju (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P. O. Box 912, Beijing ...) ,  LU Yanwu (Dep. of Physics, Beijing Jiaotong Univ., Beijing 100044, People’s Republic of China) ,  ZHAO Guijuan (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P. O. Box 912, Beijing ...) ,  GU Chengyan (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P. O. Box 912, Beijing ...) ,  LIU Changbo (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P. O. Box 912, Beijing ...) ,  SANG Ling (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P. O. Box 912, Beijing ...) ,  YANG Shaoyan (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P. O. Box 912, Beijing ...) ,  LIU Xianglin (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P. O. Box 912, Beijing ...) ,  ZHU Qinsheng (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P. O. Box 912, Beijing ...) ,  WANG Zhanguo (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P. O. Box 912, Beijing ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 16  ページ： 162102-162102-4  発行年： 2012年04月16日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 三角形の井戸型ポテンシャルを持つAl_xGa_1-xN/GaNから成る多重量子井戸(MQW)におけるAl_xGa_1-xNの障壁およびGaNの厚さの揺らぎによって支配される二次元電子ガス(2DEG)の電子移動度を計算した結果を報告する。このポテンシャル井戸における基底状態のサブバンドエネルギーは,自発分極場と圧電分極場によって支配され,その電場は無ドープAl_xGa_1-xN/GaNから成るMQWにおける障壁と井戸厚によって決定される。このように,Al_xGa_1-xNの障壁およびGaNの井戸幅の揺らぎによって,基底サブバンドエネルギーの局所的な揺らぎが誘起され,そのために2DEGの移動度が低下することが予測される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  ヘテロ接合 ,  *多重量子井戸 ,  幅 ,  *二次元電子ガス ,  キャリア移動度 ,  自発分極 ,  圧電気 ,  ゆらぎ ,  ポテンシャル障壁
準シソーラス用語： *窒化ガリウムインジウム

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (8件)： GaN ,  多重量子井戸 ,  障壁 ,  井戸 ,  揺らぎ ,  支配 ,  二次元電子ガス ,  移動度