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J-GLOBAL ID：201202251626661041   整理番号：12A1143550

画素内二重蓄積を有する83dBダイナミックレンジ単回露光グローバルシャッタCMOSイメージセンサ

An 83dB-Dynamic-Range Single-Exposure Global-Shutter CMOS Image Sensor with In-Pixel Dual Storage

著者 (18件)： SAKAKIBARA Masaki (Sony, Atsugi, JPN) ,  OIKE Yusuke (Sony, Atsugi, JPN) ,  TAKATSUKA Takafumi (Sony, Atsugi, JPN) ,  KATO Akihiko (Sony, Atsugi, JPN) ,  HONDA Katsumi (Sony, Atsugi, JPN) ,  TAURA Tadayuki (Sony, Atsugi, JPN) ,  MACHIDA Takashi (Sony, Atsugi, JPN) ,  OKUNO Jun (Sony Semiconductor, Kumamoto, JPN) ,  ANDO Atsuhiro (Sony Semiconductor, Kumamoto, JPN) ,  FUKURO Taketo (Sony Semiconductor, Kumamoto, JPN) ,  ASATSUMA Tomohiko (Sony, Atsugi, JPN) ,  ENDO Suzunori (Sony Semiconductor, Kumamoto, JPN) ,  YAMAMOTO Junpei (Sony Semiconductor, Kumamoto, JPN) ,  NAKANO Yasuhiro (Sony Semiconductor, Kumamoto, JPN) ,  KANESHIGE Takumi (Sony Semiconductor, Kumamoto, JPN) ,  YAMAMURA Ikuhiro (Sony, Atsugi, JPN) ,  EZAKI Takayuki (Sony, Atsugi, JPN) ,  HIRAYAMA Teruo (Sony, Atsugi, JPN)
資料名： Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference  (Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference)
巻： 2012  ページ： 380-381,381A  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0753A  ISSN： 0193-6530  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 画像歪やアーチファクト無しでダイナミックレンジを83dBまで拡大するため,大域シャッタ機能に対して画素内二重蓄積方式を用いたCMOSイメージセンサを開発した。この方式は,電荷蓄積ノードとしてフォトダイオードとMEMを用い,低輝度用電化蓄積ノードとしてMEMを,高輝度信号用ノードとしてフローティングゲートを用いる。アーキテクチャは画素アレイやAD変換器等を含む。

シソーラス用語： *イメージセンサ ,  *ダイナミックレンジ ,  露光 ,  フローティングゲート ,  フォトダイオード
準シソーラス用語： *CMOSイメージセンサ ,  画素回路 ,  電荷蓄積 ,  電子回路設計

分類 (1件)： 撮像・録画装置  (ND12032E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 画素 ,  蓄積 ,  ダイナミックレンジ ,  露光 ,  グローバル ,  シャッタ ,  CMOSイメージセンサ