ゾルゲルで抽出したCo<sub>3</sub>O<sub>4</sub>薄膜:構造,形態および光電子特性に及ぼすアニールの効果

CHOUGULE M. A.; PAWAR S. G.; GODSE P. R.; SAKHARE R. D.; SEN Shashwati; PATIL V. B.

文献

J-GLOBAL ID：201202251695767048 整理番号：12A0413822

ゾルゲルで抽出したCo₃O₄薄膜:構造,形態および光電子特性に及ぼすアニールの効果

Sol-gel derived Co₃O₄ thin films: effect of annealing on structural, morphological and optoelectronic properties

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=12A0413822&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=12A0413822&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=W0003A") }}

著者 (6件)： , , , , ,
資料名：
巻： 23 号： 3 ページ： 772-778 発行年： 2012年03月
JST資料番号： W0003A ISSN： 0957-4522 CODEN： JMTSAS 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

ゾルゲルスピンコート法を用いて,ナノ結晶Co₃O₄薄膜をガラス基板上に作成した。Co₃O₄薄膜の構造,形態,電気および光学特性に及ぼすアニール温度(400~700°C)の影響を,X線回折(XRD),走査型電子顕微鏡法,電気伝導度およびUV~可視分光法により調査した。XRD測定は,全ての膜が立方晶系のスピネル構造にナノ結晶化し,ランダム方位を提示することを示した。微結晶サイズはアニール温度の増加とともに増加した(53~69nm)。これらの変更は光学特性に影響する。ゾルゲルで抽出したCo₃O₄の形態はいくつかの成長しすぎた塊をもつナノ結晶粒子を示し,それはアニール温度で変化した。光学バンドギャップは吸収係数から決定した。光学バンドギャップエネルギーは,アニール温度が400と700°Cの間で増加するとともに2.58~2.07eVに減少することが分かった。これらのことは,Co₃O₄膜の光学品質はアニールにより改善されることを意味する。Co₃O₄薄膜の電気伝導度は,アニール温度の増加とともに10^-4から10^-2(Ωcm)^-1に増加した。400~700°CでアニールしたCo₃O₄膜の電子キャリヤ濃度(n)と移動度(μ)は,それぞれ,2.4~4.5×10¹⁹cm^-3と5.2~7.0×10^-5cm²V^-1s^-1であると推定された。堆積後700°CでアニールしたCo₃O₄薄膜はオプトエレクトロニクス応用に適した滑らかで平坦なテクスチャを提供する。Copyright 2011 Springer Science+Business Media, LLC Translated from English into Japanese by JST.

, , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , ,
, ,

半導体薄膜

, , ,

前のページに戻る

ゾルゲルで抽出したCo3O4薄膜:構造,形態および光電子特性に及ぼすアニールの効果

ゾルゲルで抽出したCo₃O₄薄膜:構造,形態および光電子特性に及ぼすアニールの効果