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J-GLOBAL ID：201202251848999229   整理番号：12A1222707

スルホサリチル酸(C₇H₆O₆S)補助定電流堆積とその後の焼なましによって作製したZnSナノ結晶膜の構造と光学研究

Structural and optical studies of ZnS nanocrystal films prepared by sulfosalicylic acid (C₇H₆O₆S)-assisted galvanostatic deposition with subsequent annealing

著者 (12件)： XU Xinhua (State Key Lab. of Chemical Resource Engineering, Beijing Univ. of Chemical Technol., Beijing 100029, CHN) ,  XU Xinhua (Coll. of Materials Sci. and Engineering, Beijing Univ. of Chemical Technol., Beijing 100029, CHN) ,  XU Xinhua (State Key Lab. of Organic-Inorganic Composites, Beijing Univ. of Chemical Technol., Beijing 100029, CHN) ,  WANG Feng (State Key Lab. of Chemical Resource Engineering, Beijing Univ. of Chemical Technol., Beijing 100029, CHN) ,  WANG Feng (Coll. of Materials Sci. and Engineering, Beijing Univ. of Chemical Technol., Beijing 100029, CHN) ,  LIU Jingjun (State Key Lab. of Chemical Resource Engineering, Beijing Univ. of Chemical Technol., Beijing 100029, CHN) ,  LIU Jingjun (Coll. of Materials Sci. and Engineering, Beijing Univ. of Chemical Technol., Beijing 100029, CHN) ,  LI Zhilin (State Key Lab. of Chemical Resource Engineering, Beijing Univ. of Chemical Technol., Beijing 100029, CHN) ,  LI Zhilin (Coll. of Materials Sci. and Engineering, Beijing Univ. of Chemical Technol., Beijing 100029, CHN) ,  JI Jing (State Key Lab. of Chemical Resource Engineering, Beijing Univ. of Chemical Technol., Beijing 100029, CHN) ,  JI Jing (Coll. of Materials Sci. and Engineering, Beijing Univ. of Chemical Technol., Beijing 100029, CHN) ,  CHEN Jianfeng (State Key Lab. of Organic-Inorganic Composites, Beijing Univ. of Chemical Technol., Beijing 100029, CHN)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 520  号： 23  ページ： 6864-6868  発行年： 2012年09月30日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 硫化亜鉛(ZnS)半導体ナノ結晶膜を,スルホサリチル酸(C₇H₆O₆S)補助定電流堆積とその後の焼なましによって酸化インジウムすず被覆ガラス基板上に作製した。堆積は15~30mM Zn(CH₃COO)₂,20mM Na₂S₂O₃,200mM LiCl,0.375mM Na₂SO₃,および0または0.2mM C₇H₆O₆Sを含む酸性電解液中において10mAcm^-2で実行した。結果は,C₇H₆O₆Sの存在がZnS堆積過程中のZnとS不純物相の析出を抑制できることを示した。[C₇H₆O₆S]=0.2mMと[Zn²⁺]=20mMのときに,堆積ZnS膜は1.03の理想Zn/S原子比と密充填粒状形態の六方構造のみを表した。しかし,その約2.86eVのバンドギャップは,おそらくいくつかの疑似酢酸塩種と欠陥状態の存在のためにZnSの共通値より狭い。400°Cで60分間の膜焼なましによって,その結晶相が,通常,六方ZnSより狭いバンドギャップを示す立方構造に変わるにもかかわらず,そのバンドギャップは最高3.70eVまで増加した。重要なバンドギャップ広がりは,焼なまし過程における疑似酢酸塩種の分解と様々な可能な欠陥状態の減少に帰することができた。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 定電流電源 ,  堆積 ,  焼なまし ,  *硫化亜鉛 ,  ナノ結晶 ,  *半導体薄膜 ,  *構造特性 ,  *光学的性質 ,  ガラス ,  基板 ,  酸性 ,  電解液 ,  不純物 ,  析出 ,  結晶構造 ,  充填 ,  粒状性 ,  六方晶系 ,  バンドギャップ ,  カルボン酸エステル ,  カルボン酸塩 ,  脂肪族カルボン酸 ,  欠陥 ,  立方晶系 ,  分解 ,  スルホン酸 ,  芳香族カルボン酸 ,  フェノール類 ,  ヒドロキシ酸
準シソーラス用語： 最密充填 ,  酸化インジウムスズガラス ,  酢酸塩 ,  定電流源

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  無機化合物の結晶構造一般  (BK07001T) ,  光物性一般  (BM08010A)

物質索引 (1件)： スルホサリチル酸

タイトルに関連する用語 (8件)： スルホサリチル酸 ,  堆積 ,  焼なまし ,  作製 ,  ZnS ,  ナノ結晶 ,  光学 ,  研究