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J-GLOBAL ID：201202251890118143   整理番号：12A1500137

太陽前面反射体のためのマグネトロンスパッタリングによる高反射率をもつ新しいSiO₂保護Ag薄膜の作製

Preparation of novel SiO₂ protected Ag thin films with high reflectivity by magnetron sputtering for solar front reflectors

著者 (7件)： XU Y.j. (Key Lab. of Distributed Energy of Guangdong Province, Dongguan Univ. of Technol., Dongguan 523808, CHN) ,  CAI Q.w. (School of Chemistry and Chemical Engineering, South China Univ. of Technol., Guangzhou 510640, CHN) ,  YANG X.x. (Key Lab. of Distributed Energy of Guangdong Province, Dongguan Univ. of Technol., Dongguan 523808, CHN) ,  ZUO Y.z. (Key Lab. of Distributed Energy of Guangdong Province, Dongguan Univ. of Technol., Dongguan 523808, CHN) ,  SONG H. (School of Chemistry and Chemical Engineering, South China Univ. of Technol., Guangzhou 510640, CHN) ,  LIU Z.m. (Key Lab. of Distributed Energy of Guangdong Province, Dongguan Univ. of Technol., Dongguan 523808, CHN) ,  HANG Y.p. (School of Chemistry and Chemical Engineering, South China Univ. of Technol., Guangzhou 510640, CHN)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 107  ページ： 316-321  発行年： 2012年12月 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Essential Macleod Program(EMP)を用いて,SiO₂保護Ag薄膜の設計を支援することに成功した。膜を,太陽前面反射体における使用のために,マグネトロンスパッタリングによりガラス基板上に作製した。130nm Ag膜及び320nm SiO₂膜の太陽反射率及び光反射率は,それぞれ,96.66%及び98.84%であることが分かり,設計モデルに基づいた計算結果とほとんど同一であった。膜が,異なるアニーリング温度下でのテスティングにより,高温システムでの動作が可能であることが分かった。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *太陽光 ,  *反射体 ,  前面 ,  *銀 ,  金属薄膜 ,  *酸化ケイ素 ,  保護膜 ,  マグネトロンスパッタリング ,  *反射率
準シソーラス用語： ガラス基板

分類 (3件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (9件)： 太陽 ,  前面 ,  反射体 ,  マグネトロンスパッタリング ,  高反射率 ,  SiO2 ,  Ag ,  薄膜 ,  作製