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J-GLOBAL ID：201202251940306973   整理番号：12A1439360

OPCの観点からのRELACSプロセスの特性解析

Characteristics Analysis of RELACS Process from an OPC Point of View

著者 (7件)： CHOI Jinyoung (Hynix Semiconductor Inc., Gyeonggi-do, KOR) ,  YOO Minae (Hynix Semiconductor Inc., Gyeonggi-do, KOR) ,  PARK Chanha (Hynix Semiconductor Inc., Gyeonggi-do, KOR) ,  OH Changil (Hynix Semiconductor Inc., Gyeonggi-do, KOR) ,  KIM Cheolkyun (Hynix Semiconductor Inc., Gyeonggi-do, KOR) ,  YANG Hyunjo (Hynix Semiconductor Inc., Gyeonggi-do, KOR) ,  YIM Donggyu (Hynix Semiconductor Inc., Gyeonggi-do, KOR)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8325  ページ： 83251Z.1-83251Z.8  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 接触パターンがさまざまな印刷パターン形式のためのネガ調現像(NTD)とポジ調現像(PTD)におけるRELACS(化学修飾)バイアスを比較検討した。ピッチの変化とは係わり無しに一定のRELACSバイアスをもつ延びた接触パターンが正規接触アレイにも同様に確認された。PTD処理と同様にNTD処理RELACSバイアスにも複雑な補正なしにOPC処理中にこの知見を容易に反映できると考えられる。ただし,延びた接触孔の場合には長軸方向のバイアスは一定せず,パターン長に依存しない傾向がある。この延びた接触孔位置でのバイアス変動の低減には,プロセス最適化が必要である。2DランダムパターンにNTD処理を適用しようとすると,残留物が主な障害となる。そのほか,PTDとNTDについていくつかの微細加工の検討結果を報告した。

シソーラス用語： ノウハウ ,  *化学修飾 ,  パターン形成 ,  *回路パターン形成 ,  マイクロマシニング ,  細孔 ,  工作精度 ,  *リソグラフィー ,  レジスト ,  現像
準シソーラス用語： RELACS ,  ネガティブリスト ,  ポジティブレジスト ,  現像処理

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： OPC ,  観点 ,  プロセス ,  特性解析