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J-GLOBAL ID:201202251956555949   整理番号:12A0593619

プロピオン酸塩ベース金属有機コーティング(MOD)法を用いた立方体組織NiW基板上CeO2膜のエピタキシャル成長

Epitaxial growth of CeO2 thin film on cube textured NiW substrate using a propionate-based metalorganic deposition (MOD) method
著者 (10件):
資料名:
巻: 133  号: 2-3  ページ: 772-778  発行年: 2012年04月16日 
JST資料番号: E0934A  ISSN: 0254-0584  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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プロピオン酸塩ベース金属有機コーティング(MOD)法を用い,(001)[100]Ni-W二軸組織基板上でCeO2膜をエピタキシャル成長させた。析出時CeO2膜は,各約7.15°と7.8°のφとω走査の半値全幅(FWHM)で,はっきりした二軸組織を示した。面内と面外エピタキシャル関係は,各[001]CeO2//[001]Ni-Wと[100]CeO2//[110]Ni-Wである。膜形態は膜厚や結晶化温度と強い相関がある。このように1100°Cで結晶化した0.3μm厚膜は,亀裂や空孔の無い二乗平均平方根(RMS)約2.5nmの平滑な表面を持つ一方,1.1μm厚膜は多くの亀裂や低密度空孔を示した。より厚い膜で認めた基板粒界に沿った亀裂は,急冷過程で膜の熱膨張係数と金属Ni-W基板間の差に起因し,既に結晶化した膜で生じた。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (3件):
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有機第3族元素化合物  ,  酸化物薄膜  ,  酸化物の結晶成長 
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