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J-GLOBAL ID：201202252032577438   整理番号：12A1602214

選択ドープ量子井戸をもつp-SiGe/Siヘテロ構造体の負の残留赤外光伝導

Negative residual infrared photoconduction in the p-SiGe/Si heterostructures with selectively doped quantum wells

著者 (6件)： GUDENKO Yu. N. (Inst. of Physics, National Acad. of Sciences of Ukraine, 46 pr. Nauki, 03028 Kiev, UKR) ,  VAINBERG V. V. (Inst. of Physics, National Acad. of Sciences of Ukraine, 46 pr. Nauki, 03028 Kiev, UKR) ,  VASETSKII V. M. (Inst. of Physics, National Acad. of Sciences of Ukraine, 46 pr. Nauki, 03028 Kiev, UKR) ,  POROSHIN V. N. (Inst. of Physics, National Acad. of Sciences of Ukraine, 46 pr. Nauki, 03028 Kiev, UKR) ,  SARBEY O. G. (Inst. of Physics, National Acad. of Sciences of Ukraine, 46 pr. Nauki, 03028 Kiev, UKR) ,  CHIRCHIK S. V. (Inst. of Physics, National Acad. of Sciences of Ukraine, 46 pr. Nauki, 03028 Kiev, UKR)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 8  ページ： 083715-083715-4  発行年： 2012年10月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ホウ素をδドープした量子井戸をもつp-Si_0.88Ge_0.12/Siヘテロ構造体において,横赤外光伝導の減衰動力学を低温(15~50K)で調べた。光伝導の励起はCO₂レーザパルスを不純物スペクトル領域で照射することにより行った。光をスイッチオフした後,正および負両方の残留光伝導を観測した。それは低温では正であったが,T>25Kでは負に変化した。温度と電場が高いほど,負の残留光伝導の減衰は速かった。光伝導の減衰に関する定性的説明および定量的説明では,不純物準位の自由正孔の再結合とそれらのバリアトラップから量子井戸のサブバンドへの熱励起の競合を考えに入れた。もし再結合時間がトラップからの励起時間よりもずっと短かければ,負の残留光伝導が現れる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素合金 ,  ゲルマニウム含有合金 ,  *ケイ素 ,  *多層膜 ,  *素子構造 ,  量子井戸 ,  ホウ素 ,  δドーピング ,  減衰 ,  動力学 ,  レーザパルス ,  *残留光伝導 ,  温度 ,  電場 ,  不純物準位 ,  正孔 ,  再結合 ,  電子 ,  捕獲 ,  バンド構造 ,  レーザ励起 ,  温度依存性 ,  係数 ,  時間依存性 ,  減衰時間 ,  赤外線
準シソーラス用語： Hall係数 ,  サブバンド ,  トラップ【固体】 ,  熱励起 ,  *二層膜 ,  *ヘテロ構造

分類 (2件)： 光伝導,光起電力  (BM03050J) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (8件)： ドープ ,  量子井戸 ,  SiGe ,  Si ,  ヘテロ構造 ,  残留 ,  赤外光 ,  伝導