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J-GLOBAL ID：201202252035817871   整理番号：12A1485683

高速度PTOx-TMOSでのONOゲート膜の信頼性に対する高電界下の電気的特性に基づく検討

Relibility Study of ONO Gate Film in High Speed PTOx-TMOS Based on Electrical Characteristics under High Electric Field

著者 (4件)： TAKTANI Eiichi (DENSO CORP., Aichi, JPN) ,  ARAKAWA Takafumi (DENSO CORP., Aichi, JPN) ,  AOKI Takaaki (DENSO CORP., Aichi, JPN) ,  OGINO Masahiro (DENSO CORP., Aichi, JPN)
資料名： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 24th  ページ： 109-112  発行年： 2012年 
JST資料番号： W1300A  ISSN： 1943-653X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トレンチゲート形MOSFETにおけるONO(酸化膜-窒化膜-酸化膜)構造ゲート絶縁の信頼性について検討し,信頼性向上を意図した設計を論じた。ONO構造ゲートフィルムを用いた部分厚酸化物トレンチゲートMOSFET(PTOx-TMOS)では,オン抵抗・ゲートドレイン電荷積指標を簡単な構造と工程により低減できるが,この場合電荷蓄積効果によるスレッショルド電圧のシフトが発生することが無いように,設計を適切に行なう必要があると述べた。本文では,この電荷蓄積機構について実験並びに理論的に検討を行い,その結果を考察した。

シソーラス用語： *MOSFET ,  *ゲート【半導体】 ,  信頼性 ,  絶縁膜 ,  酸化物 ,  窒化物 ,  多層膜 ,  電流電圧特性

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高速度 ,  ゲート ,  信頼 ,  高電界 ,  電気的特性