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J-GLOBAL ID：201202252087259800   整理番号：12A0749352

CMOSプロセス適合高出力低漏れ電流のSi上AlGaN/GaN MISHEMT

CMOS Process-Compatible High-Power Low-Leakage A1GaN/GaN MISHEMT on Silicon

著者 (9件)： VAN HOVE Marleen (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL) ,  BOULAY Sanae (Holst Centre, Eindhoven, NLD) ,  BAHL Sandeep R. (Texas Instruments, CA, USA) ,  STOFFELS Steve (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL) ,  KANG Xuanwu (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL) ,  WELLEKENS Dirk (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL) ,  GEENS Karen (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL) ,  DELABIE Annelies (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL) ,  DECOUTERE Stefaan (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 33  号： 5  ページ： 667-669  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN系HEMTsが高周波,高出力アプリケーション用として注目されている。このようなアプリケーション用にはオフ状態での消費電力を最小化するためゲート漏れ電流を低減することが重要である。本稿では,ゲート絶縁膜と表面パッシベーションのためSi₃N₄/Al₂O₃層を使用する新しい構造について報告した。このデバイスを完全Si-CMOSプロセス適合プロセスにより150mm直径のSi基板上に製作した。このゲート幅20mmデバイスは,最大電流8A,ブレークダウン電圧750V,特性オン抵抗2.9mΩ・cm²を示し,オフ状態ドレイン漏れ電流は600Vで7μAであった。大きいゲートバイアスの振れに対してもロバスト性を示した。

シソーラス用語： 半導体プロセス ,  CMOS構造 ,  漏れ電流 ,  窒化ガリウム ,  *HEMT ,  半導体材料 ,  *MIS構造 ,  消費電力 ,  窒化ケイ素 ,  酸化アルミニウム ,  酸化膜 ,  不動態化 ,  オン抵抗 ,  *ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： AlGaN ,  CMOSプロセス ,  GaN ,  Si₃N₄ ,  パッシベーション ,  ブレークダウン電圧 ,  超低消費電力

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： CMOSプロセス ,  高出力 ,  漏れ電流 ,  Si ,  AlGaN ,  GaN