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J-GLOBAL ID：201202252090408654   整理番号：12A0795580

磁性材料の電流誘起トルク

Current-induced torques in magnetic materials

著者 (3件)： BRATAAS Arne (Norwegian Univ. Sci. and Technol., Trondheim, NOR) ,  KENT Andrew D. (New York Univ., New York, USA) ,  OHNO Hideo (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Nature Materials  (Nature Materials)
巻： 11  号： 5  ページ： 372-381  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： W1364A  ISSN： 1476-1122  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 情報記憶に長年用いられてきた磁化を特徴とする強磁性体について,急速に進歩する電流誘起磁化動力学分野の核心にある,スピン移動トルクの基礎,現象,素子及び材料を概説し,情報を格納するための磁化の再配向に現在は磁場を用いる市販の磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)の極限小型化がスピン移動トルクで可能になるかを論議した。層状強磁性体-常伝導金属系,層状強磁性体-絶縁体系,強磁性体の一様でない磁化,スピンポンピング,及び物理学の展望を説明し,電流誘導磁化スイッチングと磁壁運動基礎の技術の応用として,MRAM,LIM集積回路,レーストラックメモリ,及びスピン論理を略述した。最後に,近い将来の工業的利用を考えれば電流誘導トルクは非常に活発な研究・開発分野であり続けると期待すると結言した。

シソーラス用語： *強磁性体 ,  磁化 ,  *トルク ,  優先配向 ,  層状組織 ,  金属 ,  絶縁材料 ,  トンネル接合 ,  磁気緩和 ,  *利用 ,  *MRAM ,  *記憶装置 ,  半導体集積回路 ,  論理 ,  *スピントロニクス ,  絶縁体
準シソーラス用語： CMOS回路 ,  スピンポンピング ,  *スピン移動トルク ,  スピン論理 ,  レーストラックメモリ ,  磁気トンネル接合 ,  常伝導金属 ,  層状構造 ,  *電流誘起トルク

分類 (3件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (3件)： 磁性材料 ,  電流誘起 ,  トルク