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J-GLOBAL ID：201202252153322518   整理番号：12A0340982

エピタキシャルマンガン酸塩薄膜における磁場による光伝導の抑制

Suppression of photoconductivity by magnetic field in epitaxial manganite thin films

著者 (8件)： GUO E. J. (Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics, Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100190, CHN) ,  WANG L. (Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics, Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100190, CHN) ,  LU H. B. (Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics, Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100190, CHN) ,  GUO H. Z. (Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics, Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100190, CHN) ,  HE M. (Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics, Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100190, CHN) ,  JIN K. J. (Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics, Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100190, CHN) ,  YANG G. Z. (Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics, Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100190, CHN) ,  GAO J. (Dep. of Physics, The Univ. of Hong Kong, Pokfulam Road, Hong Kong)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 6  ページ： 061902  発行年： 2012年02月06日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 磁場による光誘起抵抗(PR)の消失を,マンガン酸塩膜において研究した。PRは,磁場が低温において導入されるとき,大きく抑制された。磁場の増大によるPRの減少(あるいは増加)を膜の強磁性(あるいは常磁性)相において,それぞれ観測した。結果は,磁場下での二つの効果の相互作用であることを示唆した:1)光励起キャリアのドメイン及びスピン方向の再配向,及び2)開放された,及び膜における多数キャリアと再結合した酸素空格子点の周りにトラップされた電子。外部場の相互作用は,巨大磁気抵抗材料におけるスピンと電荷との間の強い結合の良い実証であった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *光伝導 ,  電気抵抗 ,  *磁場効果 ,  *マンガン酸塩 ,  薄膜 ,  エピタクシー ,  スピン ,  再配向 ,  電子
準シソーラス用語： 光誘起抵抗 ,  ドメイン ,  トラップ【固体】 ,  巨大磁気抵抗

分類 (3件)： 光伝導,光起電力  (BM03050J) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (5件)： エピタキシャル ,  マンガン酸塩 ,  薄膜 ,  磁場 ,  光伝導