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J-GLOBAL ID：201202252233190558   整理番号：12A0839992

InGaN/GaN/InGaN多層バリアのあるGaNベース発光ダイオードの研究

Study on GaN-based light emitting diode with InGaN/GaN/InGaN multi-layer barrier

著者 (6件)： CHENG Li-Wen (Shanghai Inst. of Technical Physics Chinese Acad. of Sciences, National Lab for Infrared Physics, 500 Yu Tian Road ...) ,  XU Chun-Yan (Wuxi Inst. of Communications Technol., No. 98, QianRong Road, 214151, Wuxi City, Jiangsu Province, CHN) ,  SHENG Yang (Crosslight Software China, Suite 906, Building JieDi, 2790 Zhongshan Bei Road, 200063, Shanghai, CHN) ,  XIA Chang-Sheng (Crosslight Software China, Suite 906, Building JieDi, 2790 Zhongshan Bei Road, 200063, Shanghai, CHN) ,  HU Wei-Da (Shanghai Inst. of Technical Physics Chinese Acad. of Sciences, National Lab for Infrared Physics, 500 Yu Tian Road ...) ,  LU Wei (Shanghai Inst. of Technical Physics Chinese Acad. of Sciences, National Lab for Infrared Physics, 500 Yu Tian Road ...)
資料名： Optical and Quantum Electronics  (Optical and Quantum Electronics)
巻： 44  号： 3-5  ページ： 75-81  発行年： 2012年06月 
JST資料番号： A0205A  ISSN： 0306-8919  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究は,InGaN/GaN/InGaN多層バリア(MLB)を有するGaNベース発光ダイオード(LED)を研究した。シミュレーションの結果から,MLBのあるGaNベースのLEDには,GaNバリアだけでなく,在来型のGaNベースのLEDよりも性能が良好であることが分かった。これは,量子井戸へのホール注入の増強と電子漏洩電流の減少に起因した。Copyright 2011 Springer Science+Business Media, LLC. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  *窒化ガリウム ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  多層構造 ,  ポテンシャル障壁 ,  量子井戸 ,  漏れ電流 ,  シミュレーション
準シソーラス用語： InGaN

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (6件)： InGaN ,  GaN ,  多層 ,  バリア ,  発光ダイオード ,  研究