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J-GLOBAL ID：201202252319840156   整理番号：12A0549673

相変化ランダムアクセスメモリ用の安定相Si_xSb₂Te材料

Si_xSb₂Te materials with stable phase for phase change random access memory applications

著者 (7件)： GU Yifeng (State Key Lab. of Functional Materials for Informatics, Lab. of Nanotechnology, Shanghai Inst. of Micro-system and ...) ,  SONG Sannian (State Key Lab. of Functional Materials for Informatics, Lab. of Nanotechnology, Shanghai Inst. of Micro-system and ...) ,  SONG Zhitang (State Key Lab. of Functional Materials for Informatics, Lab. of Nanotechnology, Shanghai Inst. of Micro-system and ...) ,  CHENG Yan (State Key Lab. of Functional Materials for Informatics, Lab. of Nanotechnology, Shanghai Inst. of Micro-system and ...) ,  DU Xiaofeng (State Key Lab. of Functional Materials for Informatics, Lab. of Nanotechnology, Shanghai Inst. of Micro-system and ...) ,  LIU Bo (State Key Lab. of Functional Materials for Informatics, Lab. of Nanotechnology, Shanghai Inst. of Micro-system and ...) ,  FENG Songlin (State Key Lab. of Functional Materials for Informatics, Lab. of Nanotechnology, Shanghai Inst. of Micro-system and ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 5  ページ： 054319-054319-8  発行年： 2012年03月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 相変化ランダムアクセスメモリ(PCRAM)用として最も適した組成を見出す目的で,種々のSi濃度に従うSi_xSb₂Te系の物理及び電気特性を体系的に調べた。高アニーリング温度下でのTe分離が無いためにSi_xSb₂TeはGe₂Sb₂Te₅より良好な熱安定性を示す。Si濃度が増加するとSi_xSb₂Te材料のデータ保持能力が向上する。xが0.44以上の値ではSi_xSb₂Teの十年データ保持温度は110°Cを超えて,長時間データ保持要求に合致する。さらに,SiリッチSi_xSb₂Te材料はGe₂Sb₂Te₅と比較してアニーリング後の厚み変化が向上する。さらに,Si_xSb₂Te(x=0.31,0.44)に基づくPCRAMデバイスを作製して電気操作を行った。いずれも長期間の操作で顕著な性能を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,  ケイ素含有合金 ,  *アンチモン合金 ,  テルル含有合金 ,  記憶把持 ,  焼なまし ,  熱安定性 ,  非晶質 ,  核形成 ,  結晶化 ,  結晶粒径 ,  膜厚 ,  シート抵抗 ,  活性化エネルギー ,  耐久性 ,  パルス応答 ,  スイッチング ,  *RAM【メモリ】 ,  *PRAM【メモリ】
準シソーラス用語： アニール ,  故障時間 ,  *相変化メモリ ,  抵抗スイッチング

分類 (1件)： 記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (2件)： 相変化 ,  ランダムアクセスメモリ