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J-GLOBAL ID：201202252345370400   整理番号：12A1589012

水晶を使わない高性能pMEMS^TM発振器の導入

Introducing High Performance CrystalFree pMEMS Oscillators

著者 (4件)： BHUGRA Harmeet (Integrated Device Technol. Inc. (IDTI), CA) ,  PAN Wanling (Integrated Device Technol. Inc. (IDTI), CA) ,  LEI Dino (Integrated Device Technol. Inc. (IDTI), CA) ,  LEE Seungbae (Integrated Device Technol. Inc. (IDTI), CA)
資料名： Proceedings of the IEEE International Frequency Control Symposium  (Proceedings of the IEEE International Frequency Control Symposium)
巻： 2012  ページ： 256-259  発行年： 2012年 
JST資料番号： C0958A  ISSN： 1075-6787  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： IDT社で開発した共振器の設計原理と性能特性を提示した。提示した108MHz共振器は,数1000を超える高いQ値と-10dBに近い挿入損失(IL)を持ち,ウェハレベルのパーケージサイズは,550×450×200μm³である。衝撃および振動試験および長期安定性測定は,pMEMS^TM共振器は信頼があり,高周波数タイミング基準用途において,水晶発振器のコスト効率の良い代替品であることを示した。この共振器は,単結晶シリコンを含む,圧電材料から構成され,圧電結晶共振器とシリコンMEMS共振器の両方の利点を備えている。通常の純シリコン容量性共振器と異なり,この共振器は波,動作にDCバイアスを必要としない。

シソーラス用語： *MEMS ,  発振器 ,  Q値 ,  ICパッケージ ,  ケイ素 ,  *共振器 ,  圧電材料
準シソーラス用語： MEMS共振器 ,  ウエハレベルパッケージ ,  *圧電共振器 ,  単結晶シリコン

分類 (4件)： 発振回路  (NC05020Y) ,  共振器  (NC04050Y) ,  圧電デバイス  (NC03110I) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 水晶 ,  高性能 ,  発振器