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J-GLOBAL ID：201202252392788138   整理番号：12A1514765

混酸Tex処理シリコン太陽電池の解析とモデル化 2:再結合現象およびデバイスモデル

Isotextured Silicon Solar Cell Analysis and Modeling 2: Recombination and Device Modeling

著者 (4件)： BAKER-FINCH Simeon C. (Australian National Univ., A.C.T., AUS) ,  MCINTOSH Keith R. (PV Lighthouse, N.S.W., AUS) ,  TERRY Mason L. (Dupont Innovalight, CA, USA) ,  WAN Yimao (Australian National Univ., A.C.T., AUS)
資料名： IEEE Journal of Photovoltaics  (IEEE Journal of Photovoltaics)
巻： 2  号： 4  ページ： 465-472  発行年： 2012年10月 
JST資料番号： W2305A  ISSN： 2156-3381  CODEN： IJPEG8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記太陽電池において,混酸Tex処理がシリコン表面での再結合速度に及ぼす影響を実験的に検討し,これらの結果と筆者らが構築した光誘起生成モデルを組合わせて,混酸Tex表面処理シリコン太陽電池の一次元シミュレーションを行った。未拡散および拡散n形シリコン表面に対する検討の結果,一般に,表面再結合速度がエッチング深さの増大により,減少することを見出した。また,種々の素子構造に対するシミュレーションを行った結果,代表的なスクリーン印刷セルの場合に混酸Texの最適エッチング深さが1~3μmであり,文献で示されている実験結果に比して若干小さめとなり,本検討で観測した表面再結合が混酸Tex処理のモーフォロジには一意的には関係しないことが分かった。

シソーラス用語： テクスチャ処理 ,  *太陽電池 ,  解析モデル ,  *キャリア再結合 ,  シミュレーション ,  エッチング ,  深さ ,  最適化 ,  モルフォロジー ,  半導体素子 ,  不動態化 ,  表面構造
準シソーラス用語： *シリコン太陽電池 ,  *表面再結合 ,  再結合速度

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： 混酸 ,  シリコン太陽電池 ,  解析 ,  モデル化 ,  現象 ,  デバイスモデル