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J-GLOBAL ID：201202252407122352   整理番号：12A1143562

モノリシックに積層されたRRAM形コンフィギュレーション・メモリを有する不揮発性3D-FPGA

Nonvolatile 3D-FPGA With Monolithically Stacked RRAM-Based Configuration Memory

著者 (5件)： LIAUW Young Yang (Stanford Univ., CA) ,  ZHANG Zhiping (Stanford Univ., CA) ,  KIM Wanki (Stanford Univ., CA) ,  EL GAMAL Abbas (Stanford Univ., CA) ,  WONG S. Simon (Stanford Univ., CA)
資料名： Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference  (Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference)
巻： 2012  ページ： 406-407,407A  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0753A  ISSN： 0193-6530  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 不揮発性抵抗変化形RAM技術に基づいた積層コンフィギュレーション・メモリを有する,3D-FPGAについて述べ,その構成や,試作した3D-FPGAの特性を考察した。コンフィギュレーション・メモリを構成する各セルが二つのプログラマブル抵抗素子と共用セレクトトランジスタからなると述べ,プログラマブル抵抗素子の構造,その作製方法を述べた。さらに,このコンフィギュレーション・メモリの動作モードや特性について述べた。また,0.18μmCMOS技術で試作した3D-FPGAについて,プログラマブル抵抗の抵抗測定結果を示して,考察した。

シソーラス用語： *FPGA ,  三次元 ,  *RAM【メモリ】 ,  回路合成 ,  積層構造 ,  CMOS構造 ,  回路特性 ,  抵抗器
準シソーラス用語： RRAM

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： RRAM ,  コンフィギュレーション ,  不揮発性 ,  3D ,  FPGA