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J-GLOBAL ID：201202252477034132   整理番号：12A1451692

希釈N₂O環境中の4H-SiC上の熱酸化および熱窒化Zr酸窒化物薄膜の特性

Properties of thermally oxidized and nitrided Zr-oxynitride thin film on 4H-SiC in diluted N₂O ambient

著者 (2件)： WONG Yew Hoong (Energy Efficient & Sustainable Semiconductor Res. Group, School of Materials and Mineral Resources Engineering ...) ,  CHEONG Kuan Yew (Energy Efficient & Sustainable Semiconductor Res. Group, School of Materials and Mineral Resources Engineering ...)
資料名： Materials Chemistry and Physics  (Materials Chemistry and Physics)
巻： 136  号： 2-3  ページ： 624-637  発行年： 2012年10月15日 
JST資料番号： E0934A  ISSN： 0254-0584  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： さまざまなN₂O環境(10~100%)において4H-SiC基板上のZrスパッタ薄膜500°Cで15分間熱酸化および熱窒化して形成したZr酸窒化物の構造特性,化学特性および電気特性に関する系統的検討を行った。X線光電子分光計によって化学組成,深さプロフィル分析およびエネルギーバンド配列を評価した。Zr-O,Zr-N,Zr-O-N,Si-Nおよび/またはC-Nを含む化合物で構成されたZr酸窒化物層およびその界面層が特定された。酸化-窒化機構に関するモデルが示唆された。エネルギーフィルター透過型電子顕微鏡法,X線回折およびRmana分析によってこのモデルを支持する結果が得られた。原子間力顕微鏡法によってキャラクタリゼーションした試料の表面粗さおよびトポグラフィーを解明するために,提案した結晶構造を使用した。電気的な結果によると10%N₂O試料が最も高い破壊電場および信頼性を備えていた。これは,Zr-O-Nおよび/またはZr-Nといった窒素関連化合物が界面層領域またはその近傍に閉じ込められること,表面においてより小さな結晶粒がより微細な構造を有すること,最も低い界面トラップ密度,全界面トラップ密度および有効酸化物電荷,ならびに酸化物の伝導帯端と半導体との間の最高障壁高さによるものであった。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,  ジルコニウム化合物 ,  酸化物 ,  窒化物 ,  薄膜 ,  *酸化二窒素 ,  *熱酸化 ,  *窒化 ,  *ジルコニウム
準シソーラス用語： 4H-SiC ,  酸窒化物 ,  亜酸化窒素

分類 (2件)： 固-気界面一般  (CB12041H) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (9件)： 希釈 ,  N2O ,  環境 ,  4H-SiC ,  熱酸化 ,  窒化 ,  Zr ,  酸窒化物 ,  薄膜