文献

J-GLOBAL ID：201202252491189440   整理番号：12A0764875

n型GaNにおけるTi/Al系接合部のオーム挙動の起源の調査

Investigations on the Origin of the Ohmic Behavior for Ti/Al based Contacts on n-type GaN

著者 (9件)： THIERRY-JEBALI N. (Univ. Claude Bernard Lyon 1, Villeurbanne, FRA) ,  THIERRY-JEBALI N. (INSA de Lyon, Viileurbanne, FRA) ,  MENARD O. (Univ. Francois Rabelais de Tours, Tours, FRA) ,  DUBOIS C. (INSA de Lyon, Viileurbanne, FRA) ,  TOURNIER D. (INSA de Lyon, Viileurbanne, FRA) ,  COLLARD E. (STMicroelectronics, Tours, FRA) ,  BRYLINSKI C. (Univ. Claude Bernard Lyon 1, Villeurbanne, FRA) ,  OAYREL F. (Univ. Francois Rabelais de Tours, Tours, FRA) ,  ALQUIER D. (Univ. Francois Rabelais de Tours, Tours, FRA)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 711  ページ： 208-212  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (8件)： GaN ,  Ti ,  Al ,  接合部 ,  オーム ,  挙動 ,  起源 ,  調査